[发明专利]蚀刻设备和方法

权利要求书

1. 一种设备，包括：

工件固定器；

蚀刻剂供给源，其被配置成向由所述工件固定器固定的工件供给蚀刻剂；

辐射源；

空间辐射调制器，其被配置成对从所述辐射源向所述工件发射的辐射进行空间调制；以及

控制单元，其被配置成控制所述空间辐射调制器，以在向所述工件供给蚀刻剂的同时在所述工件上建立所期望的温度分布。

2. 根据权利要求1所述的设备，其中，所述辐射源具有足以用至少1W/cm²的功率密度照射所述工件的功率。

3. 根据权利要求1所述的设备，还包括被配置成测量所述工件的厚度分布的测量装置。

4. 根据权利要求3所述的设备，其中，所述测量装置被配置成执行电容性测量、光学三角测量或者基于干涉的测量中的至少一个。

5. 根据权利要求3所述的设备，其中，所述控制单元被配置成基于所述测量装置的测量结果来控制所述空间光调制器。

6. 根据权利要求1所述的设备，其中，所述工件固定器是可旋转的。

7. 根据权利要求6所述的设备，其中，所述辐射源和所述空间辐射调制器被布置成只在所述工件固定器的旋转轴的一侧照射所述工件固定器上的工件。

8. 根据权利要求1所述的设备，其中，所述空间光调制器包括微镜阵列或液晶显示器阵列中的至少一个。

9. 一种设备，包括：

可旋转卡盘；

布置在所述卡盘上方的蚀刻剂分配器；

高功率光源；以及

光调制器，其被布置在所述高功率光源与所述卡盘的至少一部分之间以控制所述卡盘上的工件的温度。

10. 根据权利要求9所述的设备，其中，所述卡盘包括用于在所述工件与所述卡盘之间建立气垫的通道。

11. 根据权利要求9所述的设备，其中，所述光调制器被布置在所述卡盘的旋转轴的一侧。

12. 根据权利要求9所述的设备，其中，所述分配器在平行于所述卡盘的表面的方向上是可移动的。

13. 根据权利要求9所述的设备，其中，所述高功率光源具有能够用至少1W/cm²的功率密度照射所述卡盘的功率。

14. 根据权利要求9所述的设备，其中，所述光调制器包括数字光处理（DLP）芯片。

15. 一种方法，包括：

向待蚀刻的工件供给蚀刻剂；

利用经空间调制的辐射来照射所述工件，以在向所述工件供给蚀刻剂的同时调节所述工件的温度分布。

16. 根据权利要求15所述的方法，还包括旋转所述工件。

17. 根据权利要求15所述的方法，还包括：

在供给所述蚀刻液体之前测量所述工件的厚度分布；以及

取决于所述厚度分布来设置所述空间调制。

18. 根据权利要求15所述的方法，还包括：

在蚀刻剂的所述供给和照射所述对象期间测量所述工件的厚度分布；以及

取决于所述测量来调节所述空间调制。

19. 根据权利要求15所述的方法，还包括：

在所述供给和所述照射的终止之后测量所述工件的厚度分布；以及

取决于所述厚度分布来修改针对下一工件的辐射的空间调制。

20. 根据权利要求15所述的方法，其中，所述工件是半导体晶片。