[发明专利]具有侧壁间隔物的接触垫及其制作方法

权利要求书

1.一种制作半导体器件的方法，该方法包括：

在工件上形成多个接触垫，每个接触垫具有下侧壁和上侧壁；

减小每个接触垫的下宽度，使得每个接触垫的上宽度大于下宽度；

在多个接触垫上形成光刻胶；以及

去除光刻胶的部分从而沿下侧壁形成侧壁间隔物。

2.根据权利要求1的方法，其中形成光刻胶包括形成正性光刻胶。

3.根据权利要求2的方法，其中去除正性光刻胶包括曝光正性光刻胶和显影正性光刻胶。

4.根据权利要求3的方法，其中曝光正性光刻胶包括在不使用光刻掩膜的情况下曝光正性光刻胶。

5.根据权利要求3的方法，其中曝光正性光刻胶包括以伪光刻掩膜曝光正性光刻胶。

6.根据权利要求1的方法，其中光刻胶是聚酰亚胺或PBO（聚苯并恶唑）。

7.根据权利要求1的方法，其中形成多个接触垫包括形成铜层或铜合金层以及然后形成金属材料层堆叠，其中金属材料层堆叠包括镍（Ni）和金（Au）。

8.根据权利要求7的方法，其中形成铜层包括电化学电镀铜，并且其中形成金属材料层堆叠包括电化学电镀镍（Ni），然后电化学电镀钯（Pd），以及然后电镀金（Au）。

9.一种制作半导体器件的方法：

在工件上形成多个芯片接触垫，其中每个芯片接触垫具有上部分和下部分，上部分横向突出下部分，并且其中每个芯片接触垫包括沿着上部分的上侧壁和沿着下部分的下侧壁；

在多个芯片接触垫的下侧壁上形成光刻胶间隔物；

通过切割工件形成多个芯片，每个芯片具有芯片接触垫；

在载体上放置多个芯片中的一个芯片；

将芯片接触垫接合到载体的载体接触垫；以及

用封装材料来封装芯片。

10.根据权利要求9的方法，其中形成光刻胶间隔物包括在工件上形成正性光刻胶以及从工件上去除正性光刻胶的部分从而形成正性光刻胶间隔物。

11.根据权利要求10的方法，其中去除正性光刻胶包括使正性光刻胶曝光，显影正性光刻胶，以及固化正性光刻胶。

12.根据权利要求11的方法，其中使正性光刻胶曝光包括在不使用光刻掩膜的情况下曝光正性光刻胶或以伪光刻掩膜曝光正性光刻胶。

13.根据权利要求9的方法，其中芯片接触垫的下部分包括铜或铜合金，其中芯片接触垫的上部分包括金属材料层堆叠，并且其中金属材料层堆叠包括镍层和金（Au）层。

14.根据权利要求13的方法，其中金属材料层堆叠进一步包括钯（Pd）层。

15.一种半导体器件，包括：

载体；

布置在载体上的芯片；

设置在芯片上的第一芯片接触垫，第一芯片接触垫具有下侧壁和上侧壁，第一芯片接触垫的下宽度小于第一芯片接触垫的上宽度，下宽度对应于下侧壁而上宽度对应于上侧壁；

沿第一芯片接触垫的下侧壁布置的光刻胶侧壁间隔物；和

封装芯片的封装材料。

16.根据权利要求15的半导体器件，其中第一芯片接触垫包括具有下侧壁的铜层或铜合金层。

17.根据权利要求16的半导体器件，其中第一芯片接触垫包括上侧壁之间的金属材料层堆叠，金属材料层堆叠包括镍（Ni）层和金（Au）层。

18.根据权利要求17的半导体器件，其中光刻胶侧壁间隔物是正性光刻胶侧壁间隔物。

19.根据权利要求15的半导体器件，其中载体包括第一载体接触垫，并且其中第一芯片接触垫电连接到第一载体接触垫。

20.根据权利要求19的半导体器件，其中芯片包括第二芯片接触垫并且载体包括第二载体接触垫，其中第二芯片接触垫电连接到第二载体接触垫，并且其中第一和第二芯片接触垫经由引线电连接到第一和第二载体接触垫。

21.根据权利要求19的半导体器件，其中芯片包括第二芯片接触垫并且载体包括第二载体接触垫，其中第二芯片接触垫电连接到第二载体接触垫，并且其中第一和第二芯片接触垫经由焊料电连接到第一和第二载体接触垫。