[发明专利]二甲基二氯硅烷采用浓酸水解制备低聚硅氧烷的工艺有效

专利信息
申请号: 201310358053.6 申请日: 2013-08-16
公开(公告)号: CN103387671A 公开(公告)日: 2013-11-13
发明(设计)人: 李索海;丁学志;陈辉;朱艳娜;陈春江;荣宝成;孙国俊;刘存泽;李玉江;王炳涛 申请(专利权)人: 唐山三友硅业有限责任公司
主分类号: C08G77/06 分类号: C08G77/06
代理公司: 唐山永和专利商标事务所 13103 代理人: 明淑娟
地址: 063305*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 甲基 硅烷 采用 水解 制备 低聚硅氧烷 工艺
【权利要求书】:

1.一种二甲基二氯硅烷采用浓酸水解制备低聚硅氧烷的工艺,按如下步骤进行:二甲基二氯硅烷由静态混合器进入环路系统中,与环路循环的浓酸接触反应,混合物进入一环路预热器加热,反应后的物料进入水解反应器,当系统压力达到与后系统生产压力相匹配的值时,HCL气体从水解反应器内析出,生成的低聚硅氧烷和系统中的浓酸溢流至预分离器进行物料的初步分离,底部浓酸重新进入循环泵打循环,顶部物料和占顶部物料体积7~15%的浓酸溢流至酸分层器后进一步沉降分离,底部分离出的占酸分离器内总体积的0.3%以下的浓酸返回循环泵进口继续使用;顶部物料送至后环路精制系统,最终得到合格的低聚硅氧烷。

2.根据权利要求1所述的二甲基二氯硅烷采用浓酸水解制备低聚硅氧烷的工艺,其特征在于:预分离器与酸分层器顶部析出的HCL气体与水解反应器顶部解析出的HCL气体混合,混合后的HCL气体进入氯化氢冷却器进行冷却,除去夹带占混合后的HCL气体总体积3%以下的低聚硅氧烷和水份,后经除雾器进一步处理后,作为原料送至氯甲烷合成工序。

3.根据权利要求2所述的二甲基二氯硅烷采用浓酸水解制备低聚硅氧烷的工艺,其特征在于:混合后的HCL气体进入氯化氢一级冷却器和二级冷却器进行冷却,除去低聚硅氧烷和水份后,得到符合要求的HCL气体。

4.根据权利要求1所述的二甲基二氯硅烷采用浓酸水解制备低聚硅氧烷的工艺,其特征在于:顶部物料和占顶部物料体积10%的浓酸溢流至酸分层器后进一步沉降分离。

5.根据权利要求1所述的二甲基二氯硅烷采用浓酸水解制备低聚硅氧烷的工艺,其特征在于:底部分离出的占酸分离器内总体积的0.3%的浓酸返回循环泵进口继续使用。

6.根据权利要求1所述的二甲基二氯硅烷采用浓酸水解制备低聚硅氧烷的工艺,其特征在于:混合物进入一环路预热器加热,反应后的物料进入水解反应器,当系统压力达到2公斤的压力值时;氯化氢气体从水解反应器内析出。

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