[发明专利]半导体发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体发光元件的方法，所述方法包括：

在衬底的主表面上形成由第III族氮化物基化合物半导体构成的半导体层的半导体层形成步骤；

在所述半导体层上形成透明导电金属氧化物膜的透明导电金属氧化物膜形成步骤；

在所述透明导电金属氧化物膜上方形成电极的电极形成步骤；

形成用于覆盖所述透明导电金属氧化物膜的一部分的掩模层的掩模层形成步骤；以及

在含氧气氛中对其上形成有所述掩模层的所述透明导电金属氧化物膜进行热处理的热处理步骤；

其中，在所述热处理步骤中，使所述透明导电金属氧化物膜的未被所述掩模层覆盖的剩余部分的氧浓度高于所述透明导电金属氧化物膜的被所述掩模层覆盖的部分的氧浓度。

2.根据权利要求1所述的用于制造半导体发光元件的方法，其中所述掩模层是绝缘层，并且所述绝缘层的至少一部分保留在所述透明导电金属氧化物膜上。

3.根据权利要求1所述的用于制造半导体发光元件的方法，其中所述掩模层是绝缘层和电极；所述绝缘层和所述电极中的每一个的至少一部分保留在所述透明导电金属氧化物膜上。

4.根据权利要求1所述的用于制造半导体发光元件的方法，还包括：

在所述热处理步骤之后，从所述透明导电金属氧化物膜移除所述掩模层的掩模层移除步骤；

其中在所述掩模层移除步骤之后，执行电极形成步骤。

5.根据权利要求1所述的用于制造半导体发光元件的方法，还包括：

在所述掩模层形成步骤之前，在无氧气氛中执行热处理的热处理步骤；

其中在无氧气氛中的所述热处理步骤中的热处理温度高于在含氧气氛中的热处理步骤的热处理温度。

6.一种半导体发光元件，包括：

衬底；

形成在衬底的主表面上的由第III族氮化物基化合物半导体构成的半导体层；

形成在所述半导体层上的单个透明导电金属氧化物膜；以及

电连通至所述透明导电金属氧化物膜的布线电极；

其中所述透明导电金属氧化物膜包括具有低氧浓度的低氧浓度区域和与所述低氧浓度区域相比具有更高氧浓度的高氧浓度区域；以及

其中所述布线电极形成在所述低氧浓度区域的区域宽度内。

7.根据权利要求6所述的半导体发光元件，其包括在所述透明导电金属氧化物膜上的覆盖所述低氧浓度区域的绝缘层；

其中所述布线电极包括接触所述透明导电金属氧化物膜的多个接触部以及将所述接触部彼此电连接的并且形成在所述绝缘层上的布线部；

其中所述布线部沿着所述绝缘层形成；

所述接触部接触所述低氧浓度区域。

8.根据权利要求6所述的半导体发光元件，其中所述透明导电金属氧化物膜的材料为通过向In₂0₃添加其它金属所获得的化合物。

9.根据权利要求8所述的半导体发光元件，其中所述透明导电金属氧化物膜的材料为ITO或IZO。