[发明专利]存储器装置编程窗口调整有效

专利信息
申请号: 201310359173.8 申请日: 2008-10-16
公开(公告)号: CN103425593B 公开(公告)日: 2016-11-09
发明(设计)人: 维沙尔·萨林;弗朗姬·F·鲁帕尔瓦尔;乔纳森·帕布斯坦;辉俊胜 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 沈锦华
地址: 美国爱*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 存储器 装置 编程 窗口 调整
【权利要求书】:

1.一种用于在具有可调整编程电平的存储器装置中读取数据的方法,所述方法包括:

从存储器块的参考单元或关于所述存储器块的转换数据中读取参考位模式的一个参考位模式;以及

产生转换表,所述转换表包括:所述转换数据、或所读取的参考位模式与在任何擦除/编程循环之前初始指派给所述参考单元的参考位模式之间的差异;

从数据单元读取经编程状态;以及

响应于所述转换表而解译所读取的经编程状态。

2.根据权利要求1所述的方法,且其进一步包含响应于一些擦除/编程循环而更新所述转换表。

3.根据权利要求1所述的方法,其中所述存储器装置是非易失性NAND存储器装置。

4.根据权利要求1所述的方法,且其进一步包含将参考门限电压电平编程至与所述存储器块相关联的参考单元中。

5.根据权利要求4所述的方法,其中针对每个参考门限电压电平仅编程一个存储器单元。

6.根据权利要求1所述的方法,且其进一步包含将所述转换表编程至所述存储器块的存储器位置中。

7.一种存储器装置,所述装置包括:

存储器单元的阵列;以及

控制电路,经配置以控制所述存储器装置,所述控制电路经配置以在一组存储器单元中读取存储器单元的擦除门限电压、针对所述一组存储器单元中的每一个存储器单元识别最大擦除门限电压、并响应于所述最大擦除门限电压而产生编程电平转换表,所述控制电路进一步经配置以响应于所述转换表而将参考门限电压编程至与所述一组存储器单元相关联的参考存储器单元。

8.根据权利要求7所述的存储器装置,其中所述控制电路进一步经配置以控制所述一组存储器单元的擦除操作。

9.根据权利要求7所述的存储器装置,其中所述控制电路经配置以每个编程电平仅编程一个参考存储器单元。

10.根据权利要求7所述的存储器装置,其中所述控制电路经配置以每个编程电平将多个参考门限电压编程至多个参考存储器单元。

11.根据权利要求10所述的存储器装置,其中所述控制电路进一步经配置以在传感操作期间确定所述多个参考门限电压的平均。

12.根据权利要求7所述的存储器装置,其中所述控制电路进一步经配置以将所述参考门限电压编程至所述一组存储器单元的中的所述参考存储器单元。

13.根据权利要求7所述的存储器装置,其中所述控制电路进一步经配置以将所述参考门限电压编程至一组与所述一组存储器单元不同的存储器单元中的所述参考存储器单元。

14.根据权利要求7所述的存储器装置,其中所述控制电路经配置以使用参考固定位模式编程每个参考存储器单元,所述参考固定位模式与代表每个编程电平的经更新转换的数据位模式相关联。

15.根据权利要求7所述的存储器装置,其中所述控制电路经配置以读取所述一组存储器单元且与所述一组存储器单元的每次读取一起来读取所述转换表。

16.根据权利要求12所述的存储器装置,其中所述存储器单元的阵列经配置以输出对应于针对每个被读取的存储器单元的多位参考固定位模式的信号。

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