[发明专利]覆晶LED芯片的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及发光元件领域，尤其涉及一种覆晶LED芯片的制作方法。

背景技术

在覆晶LED（Light Emitting Diode，发光二极管）中，LED芯片倒装于蓝宝石基板上，光经由LED芯片的蓝宝石基板射出LED。然而，基于光折射原理，当光从一种物质入射到折射率不同的另一种物质时，一部分光会被反射回去。并且，这两种物质的折射率差异越大，因反射而无法射出的光量越大。因此，现有技术中，通常在蓝宝石基板（折射率约1.76）的出光面与空气或者蓝宝石基板与封装用透明胶（折射率约为1.5）之间加镀一层或多层光学薄膜。其中，光学薄膜的折射率介于蓝宝石基板与空气或者蓝宝石基板与透明胶之间，以尽量增加LED的发光效率。

然而，为了将形成于同一大块蓝宝石基板上的多个LED芯片分离，需要进行裂片处理。在蓝宝石基板上加镀了光学薄膜的情况下，在裂片过程中，光学薄膜将受到应力拉扯。于是，由于光学薄膜与蓝宝石基板的材质不同，并且通常较薄、较脆，从而极易从蓝宝石基板上剥落、甚至碎裂。

发明内容

有鉴于此，本发明要解决的技术问题是，如何在裂片时能够不损伤覆晶LED上的光学薄膜。

为了解决上述问题，在第一方面，本发明提供了一种覆晶LED芯片的制作方法，包括：在蓝宝石基板的出光面上形成至少一层光学薄膜；在所述蓝宝石基板的外延面上形成至少两个覆晶LED芯片；沿相邻的所述覆晶LED芯片的分界线，对所述光学薄膜进行划切；以及沿所述分界线对所述蓝宝石基板进行劈裂，以使所述相邻的覆晶LED芯片分离。

对于上述制作方法，在一种可能的实现方式中，在蓝宝石基板的出光面上形成至少一层光学薄膜之前，还包括：沿要形成的相邻的所述覆晶LED芯片的分界线，对所述出光面进行划切，以在所述出光面上形成凹槽。

为了解决上述问题，在第二方面，本发明提供了一种覆晶LED芯片的制作方法，包括：沿要形成的相邻的覆晶LED芯片的分界线，对蓝宝石基板的出光面进行划切，以在所述出光面上形成凹槽；在所述出光面上形成至少一层光学薄膜；在所述蓝宝石基板的外延面上形成至少两个覆晶LED芯片；以及沿所述分界线，对所述蓝宝石基板进行劈裂，以使所述相邻的覆晶LED芯片分离。

对于上述制作方法，在一种可能的实现方式中，在形成至少一层所述光学薄膜之前，还包括：对所述出光面进行粗糙化处理或图案化处理，以在所述出光面上形成特定的图案。

对于上述制作方法，在一种可能的实现方式中，所述特定的图案为沟渠状、网格状、同心圆状、蜂窝状、连续的米字形状、连续的圆柱体状、连续的圆锥状、连续的角锥状、连续的凸球状中的任意一种或多种。

对于上述制作方法，在一种可能的实现方式中，所述粗糙化处理包括：以高压喷砂方式使所述出光面形成粗化状态。

对于上述制作方法，在一种可能的实现方式中，所述图案化处理包括：在所述出光面上进行激光雕刻，以在所述出光面上直接雕刻出所述特定的图案。

对于上述制作方法，在一种可能的实现方式中，所述图案化处理包括：利用二氧化硅形成掩模；在所述出光面上暴露所述特定的图案；以及基于所述掩模对所述出光面进行蚀刻，从而形成所述特定的图案。

对于上述制作方法，在一种可能的实现方式中，所述图案化处理包括：利用二氧化硅在所述出光面上形成保护层；利用光阻抗蚀剂在所述保护层上暴露所述特定的图案；以及基于所述掩模对所述保护层进行蚀刻，从而形成所述特定的图案。

对于上述制作方法，在一种可能的实现方式中，所述光学薄膜的折射率小于所述蓝宝石基板的折射率，并且大于空气或将要涂覆于所述光学薄膜上的透明胶的折射率。

通过先沿相邻的覆晶LED芯片的分界线对光学薄膜划切后再裂片，或者先沿相邻的覆晶LED芯片的分界线对蓝宝石基板的出光面划切以形成凹槽后再形成光学薄膜，根据本发明实施例的覆晶LED芯片的制作方法，能够减小光学薄膜在裂片时受到的应力，从而保证光学薄膜不会在裂片时碎裂或剥落。

根据下面参考附图对示例性实施例的详细说明，本发明的其它特征及方面将变得清楚。

附图说明

包含在说明书中并且构成说明书的一部分的附图与说明书一起示出了本发明的示例性实施例、特征和方面，并且用于解释本发明的原理。

图1a示出根据本发明一实施例的覆晶LED芯片的制作方法的流程图；

图1b示出根据本发明一实施例的蓝宝石基板10上形成光学薄膜20和形成覆晶LED芯片后的结构示意图；