[发明专利]使用光处理来制造太阳能电池的装置和方法有效
申请号: | 201310359696.2 | 申请日: | 2013-08-16 |
公开(公告)号: | CN104241440B | 公开(公告)日: | 2017-07-21 |
发明(设计)人: | 郑皓宇;邱永昇;黄乙峯;王晨昀;江济宇;杨弦升;林光明 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 处理 制造 太阳能电池 装置 方法 | ||
1.一种用于形成太阳能电池的光照装置,包括:
壳体,与沉积处理系统中的其他处理部件相分开;
传送机构,在所述沉积处理系统中沉积正面接触层之后用于将衬底上的太阳能电池运送至所述壳体中;以及
一个或多个光源元件,位于所述壳体内并且被配置为在沉积所述正面接触层之后对所述太阳能电池施加紫外光照,所述一个或多个光源元件发出光能大于3.1eV并且主光源波长小于400nm的紫外光;
所述正面接触层包括透明导电氧化物层,所述一个或多个光源元件根据所述透明导电氧化物层的性质以及受到辐照的结构的性质提供不同的光能。
2.根据权利要求1所述的光照装置,其中,所述一个或多个光源元件是一个或多个紫外(UV)光源元件,并且所述壳体形成具有光强度可调的所述一个或多个紫外(UV)光源元件的UV光处理室。
3.根据权利要求1所述的光照装置,包括位于所述壳体内的环境温度控制系统。
4.根据权利要求1所述的光照装置,其中,所述传送机构是将所述太阳能电池运送到所述壳体中并且从所述壳体中运送出来的载体和滚筒。
5.根据权利要求1所述的光照装置,其中,在所述沉积处理系统中将透明导电氧化物(TCO)层沉积为所述正面导电层的步骤以及将所述太阳能电池进行P3划线的步骤之后施加光照。
6.根据权利要求1所述的光照装置,其中,在沉积所述正面接触层、将所述太阳能电池进行P3划线、施加乙烯醋酸乙烯酯(EVA)以及进行层压之后施加光照。
7.根据权利要求1所述的光照装置,其中,在沉积所述正面接触层、将所述太阳能电池进行P3划线、施加乙烯醋酸乙烯酯(EVA)、进行层压工艺以及完成太阳能电池组件的步骤之后施加光照。
8.根据权利要求1所述的光照装置,其中,在将所述太阳能电池进行P3划线的步骤、层压工艺步骤以及完成太阳能电池组件的步骤中的任意一个或多个步骤之后施加光照。
9.根据权利要求1所述的光照装置,其中,在将所述太阳能电池进行P3划线的步骤、层压工艺步骤以及完成太阳能电池组件的步骤中的每个步骤之后施加光照。
10.根据权利要求1所述的光照装置,其中,所述太阳能电池是黄铜矿基器件、黄铜矿基层叠结构器件或碲化镉基器件中的一种。
11.一种制造太阳能电池的方法,包括:
在玻璃衬底上形成背面接触层;
在所述背面接触层上形成吸收层;
在所述吸收层上形成缓冲层;
在所述缓冲层之上形成正面接触层,将所述玻璃衬底、所述背面接触层、所述吸收层、所述缓冲层和所述正面接触层形成第一组件;以及
在所述缓冲层之上形成所述正面接触层之后,独立于在沉积处理系统中进行的其他处理而向所述第一组件施加紫外光源,所述紫外光源发出光能大于3.1eV并且主光源波长小于400nm的紫外光;
所述正面接触层包括透明导电氧化物层,根据所述透明导电氧化物层的性质以及受到辐照的结构的性质来使用不同的光能。
12.根据权利要求11所述的方法,还包括:在所述玻璃衬底上形成所述背面接触层之后进行P1划线,在所述吸收层上形成所述缓冲层之后进行P2划线以及在所述缓冲层之上形成所述正面接触层之后进行P3划线。
13.根据权利要求12所述的方法,还包括:在P3划线之后施加乙烯醋酸乙烯酯(EVA)封装层的步骤以及层压所述太阳能电池的步骤。
14.根据权利要求13所述的方法,其中,在所述缓冲层之上形成所述正面接触层之后向所述第一组件施加所述光源包括:在P3划线和层压所述太阳能电池之后施加紫外(UV)光照。
15.根据权利要求12所述的方法,还包括:在P3划线之后,施加乙烯醋酸乙烯酯(EVA)封装层,层压所述太阳能电池,向所述太阳能电池施加后段工艺以及由所述太阳能电池形成太阳能电池组件。
16.根据权利要求15所述的方法,其中,在所述缓冲层之上形成所述正面接触层之后向所述第一组件施加光源包括:在形成太阳能电池组件之后施加所述光源。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的