[发明专利]主动元件

权利要求书

1.一种主动元件，设置于基板上，其特征在于该主动元件包括：

栅极；

氧化物半导体通道层；

栅绝缘层，配置于该栅极与该氧化物半导体通道层之间；

多条纳米导线，分布于该氧化物半导体通道层中，其中所述纳米导线不接触该栅绝缘层，而所述纳米导线沿一个方向排列且彼此互不交错；以及

源极与漏极，配置于该氧化物半导体通道层的相对两侧，其中该氧化物半导体通道层的一部分暴露于该源极与该漏极之间。

2.根据权利要求1所述的主动元件，其特征在于其中该氧化物半导体通道层位于该栅极与该基板之间，而该源极与该漏极位于该栅绝缘层与该基板之间。

3.根据权利要求1所述的主动元件，其特征在于其中该氧化物半导体通道层的材质包括氧化铟镓锌、氧化锌、氧化铟锌或氧化锌铟锡。

4.根据权利要求1所述的主动元件，其特征在于其中该纳米导线的材质包括银、金、铂、钯、钼、铝或上述的组合。

5.根据权利要求1所述的主动元件，其特征在于其中各该纳米导线的直径大于等于10纳米且小于等于200纳米。

6.根据权利要求1所述的主动元件，其特征在于其中各该纳米导线的长度介于100纳米至1000纳米之间。

7.根据权利要求1所述的主动元件，其特征在于其中上述纳米导线的密度至少为6×10⁶(1/平方公分)。

8.根据权利要求1所述的主动元件，其特征在于其中该方向与该源极至该漏极的方向平行。

9.根据权利要求1所述的主动元件，其特征在于其中上述纳米导线排列于同一水平线上。

10.根据权利要求1所述的主动元件，其特征在于其中上述纳米导线包括阵列式纳米导线。