[发明专利]一种锰钴铜体系非线性负温度系数厚膜电子浆料的制备方法

权利要求书

1.一种锰钴铜体系非线性负温度系数(NTC)厚膜电子浆料的制备方法，其特征在于，包括以下的步骤：

步骤1，确定锰钴铜NTC材料体系，按mol配方Mn_1.1～1.85Co_0.5～0.95Cu_0.6～0.9，乙酸将锰、硝酸钴、硫酸铜的混合物中加入4～8L的去离子水，得到初始的反应溶液；

步骤2，制备NTC陶瓷的反应前驱物，包括以下子步骤，

步骤2.1，在30～60℃及200rpm的搅拌速度下，将碳酸钾溶液滴加到乙酸锰、硝酸钴与硫酸铜的混合溶液中，充分反应；

步骤2.2，对步骤2.1所得沉淀用去离子水反复清洗至PH值在7～8之间，然后过滤在100℃烘干，并过100目筛；

步骤2.3，将步骤2.2中的所得的过筛物料在600～1000℃煅烧1～2小时，得到NTC陶瓷的反应前驱物；

步骤3，轧制NTC浆料，包括以下子步骤，

步骤3.1，将步骤2.3得到的NTC陶瓷的反应前驱物粉碎，加入NTC粉质量3％～20％的预制的玻璃粉，行星球磨4h，转速451rpm，NTC与玻璃粉混合物料：去离子水：玛瑙球(质量比)＝1∶1∶3，得到的球磨混合物在100℃烘干过100目筛备用；

步骤3.2，在步骤3.1得到球磨混合物中加入其质量15％～30％的预制的有机载体，利用三辊轧机轧浆。

2.根据权利要求1所述的锰钴铜体系非线性NTC厚膜电子浆料的制备方法，其特征在于：所述的NTC浆料的主体功能材料为锰钴铜NTC陶瓷反应前驱物，获取方式如下，

步骤1中，通过配方将乙酸锰、硝酸钴、硫酸铜的混合物中加入去离子水，得到初始的反应溶液；

步骤2中，由共沉淀法制备NTC陶瓷的反应前驱物，清洗、过滤、烘干、过筛并煅烧。

3.根据权利要求1或2所述的锰钴铜体系非线性NTC厚膜电子浆料的制备方法，其特征在于：执行步骤2.3后，NTC陶瓷的反应前驱物被粉碎，加入NTC前驱物质量的3％～20％的玻璃粉，行星球磨4h，转速451rpm，得到的球磨混合物在100℃烘干、过筛备用。

4.根据权利要求1或2所述的锰钴铜体系非线性NTC厚膜电子浆料的制备方法，其特征在于：执行步骤3.1后，在得到的球磨混合物中，加入质量分数为15％～30％的有机载体，采用三辊轧浆的方式将球磨混合物与有机载体轧制成浆料。

5.根据权利要求1或2所述的锰钴铜体系非线性NTC厚膜电子浆料的制备方法，其特征在于：按NTC陶瓷配方Mn_1.45～1.7Co_0.65～0.85Cu_0.7～0.85制备的NTC厚膜NTC浆料具有较低的方阻和较高的B值。