[发明专利]射频电子标签的整流限幅电路有效
申请号: | 201310361712.1 | 申请日: | 2013-08-19 |
公开(公告)号: | CN103413168A | 公开(公告)日: | 2013-11-27 |
发明(设计)人: | 刘洋;徐振涛;李甜;李耀合;毛文彪;于奇 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G06K19/077 | 分类号: | G06K19/077 |
代理公司: | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 | 代理人: | 濮云杉 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射频 电子标签 整流 限幅 电路 | ||
1.射频电子标签的整流限幅电路,其特征为:第一电阻(R1)连接第一输入端(VANT_A)且第二电阻(R2)连接第二输入端(VANT_B)后,均与衬偏限幅模块和整流模块的输入端连接,整流模块经电压监测控制模块后通过两路输出电压连接所述的衬偏限幅模块,在衬偏限幅模块中具有一端与第一电阻(R1)连接的第三电阻(R3)和一端与第二电阻(R2)连接的第四电阻(R4),第三电阻(R3)和第四电阻(R4)的另一端分别通过第一泄流元件(MN1)和第二泄流元件(MN2)连接第一衬偏控制元件(MN3)和第二衬偏控制元件(MN4)后接地,第一泄流元件(MN1)和第二泄流元件(MN2)的控制端均连接所述电压监测控制模块的其中一路输出电压(Vc1),第一衬偏控制元件(MN3)和第二衬偏控制元件(MN4)的控制端均连接所述电压监测控制模块的另一路输出电压(Vc2)。
2.如权利要求1所述的射频电子标签的整流限幅电路,其特征为:所述的第一泄流元件(MN1)和第二泄流元件(MN2),以及第一衬偏控制元件(MN3)和第二衬偏控制元件(MN4)均为NMOS型晶体管;
第一泄流元件(MN1)和第二泄流元件(MN2)的漏极对应连接第三电阻(R3)和第四电阻(R4),第一泄流元件(MN1)和第二泄流元件(MN2)的源极对应连接第一衬偏控制元件(MN3)和第二衬偏控制元件(MN4)的漏极;
第一泄流元件(MN1)和第二泄流元件(MN2)的栅极均连接所述电压监测控制模块的其中一路输出电压(Vc1);
第一衬偏控制元件(MN3)和第二衬偏控制元件(MN4)的源极均接地,栅极均连接电压监测控制模块的另一路输出电压(Vc2)。
3.如权利要求2所述的射频电子标签的整流限幅电路,其特征为:所述NMOS型晶体管结构的第一泄流元件(MN1)、第二泄流元件(MN2)、第一衬偏控制元件(MN3)和第二衬偏控制元件(MN4)的衬底均接地。
4.如权利要求1至3之一所述的射频电子标签的整流限幅电路,其特征为:所述的整流模块为交叉桥式整流模块。
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