[发明专利]一种基于双层胶技术的掩模平坦化方法

权利要求书

1.一种基于双层胶技术的掩模平坦化方法，其特征步骤如下：

步骤（1）、在基底上沉积一定厚度的掩模层，并在掩模层上制备掩模图形；

步骤（2）、在掩模图形上涂敷光刻胶A，并进行前烘处理；

步骤（3）、在所述步骤（2）得到的结构上涂敷光刻胶B，并进行前烘处理；

步骤（4）、采用中心波长为365nm的紫外曝光光源从所述步骤（3）得到的结构背面入射，对光刻胶B进行曝光，显影；

步骤（5）、在所述步骤（4）得到的结构内沉积二氧化硅层，厚度和铬膜的厚度相等；

步骤（6）、将所述步骤（5）得到的结构放到有机溶剂中去除光刻胶A和光刻胶B。

2.根据权利要求1所述的一种基于双层胶技术的掩模平坦化方法，其特征在于：所述步骤（1）中的基底材质是石英或者有机透明材料，同时基底为平面或曲面。

3.根据权利要求1所述的一种基于双层胶技术的掩模平坦化方法，其特征在于：所述步骤（2）中，光刻胶A前烘的温度为150～200℃，前烘的时间为5～30分钟，光刻胶A在光刻胶B的显影液中溶解速率要满足比光刻胶B在光刻胶B的显影液中显影速率快的要求。

4.根据权利要求1所述的一种基于双层胶技术的掩模平坦化方法，其特征在于：所述步骤（3）中，光刻胶B前烘的温度为80℃～100℃，前烘的时间为10～30分钟，光刻胶A和光刻胶B不能发生互溶现象。

5.根据权利要求1所述的一种基于双层胶技术的掩模平坦化方法，其特征在于：所述步骤（4）中，曝光剂量为光刻胶B的感光剂量，显影时间由光刻胶A和光刻胶B的总厚度决定。

6.根据权利要求1所述的一种基于双层胶技术的掩模平坦化方法，其特征在于：所述步骤（5）中，二氧化硅的沉积方式为电子束蒸镀以保证良好的方向性，二氧化硅的厚度由石英晶振仪监控。