[发明专利]高压静电保护结构有效
| 申请号： | 201310362902.5 | 申请日： | 2013-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN104425480B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 苏庆;邓樟鹏;苗彬彬;张强 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压 静电 保护 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种高压静电保护结构，其特征是，包括：一N型LDMOS，整体置于一硅衬底上方的P型埋层内；
多晶硅栅的右侧有源区是所述LDMOS的漏区，包括：设置于P型埋层右侧上部的高压N阱，位于高压N阱上部的第一N+型扩散区，其中第一N+扩散区与多晶硅栅之间相隔有一场氧化区，第一N+扩散区及该场氧化区均被高压N阱包围；
多晶硅栅的左侧有源区是所述LDMOS的源区，包括：设置于P型埋层右侧上部的高压P阱，位于高压N阱上部的N阱；
部分第二N+扩散区和第一P+扩散区位于N阱上方，其余部分第二N+扩散区位于高压P阱上部，第二P+扩散区位于高压P阱上方；
第一P+扩散区、第二P+扩散区和第二N+扩散区之间具有场氧化区；其中，第一P+扩散区和第二P+扩散区之间的场氧化区部分位于高压P阱上部，其余部分位于N阱上部，第一P+扩散区和第二N+扩散区之间的场氧化区位于N阱上部；
第一P+扩散区、第二P+扩散区和多晶硅栅引出并接接地，第一N+扩散区引出作为静电输入端。
2.如权利要求1所述的高压静电保护结构，其特征是：所述N阱是低压N阱。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
