[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

一衬底；

一第一掺杂区(doping region)，设置于该衬底上；

一第一阱(well)，设置于该第一掺杂区内；

一第一重掺杂区(heavily doping region)，设置于该第一阱内；

一第二重掺杂区，设置于该第一阱内，该第二重掺杂区是与该第一重掺杂区间隔开来；

一第三重掺杂区，设置于该第一掺杂区内；以及

一电阻元件，该第二重掺杂区经由该电阻元件电性连接于该第三重掺杂区；

其中该衬底、该第一阱及该第二重掺杂区具有一第一掺杂型态，该第一掺杂区、该第一重掺杂区及该第三重掺杂区具有一第二掺杂型态，该第一掺杂型态互补于该第二掺杂型态。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，更包括一第二阱，设置于该衬底上，其中该第一掺杂区设置于该第一阱和该第二阱之间，该第二阱具有该第一掺杂型态。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，更包括一第四重掺杂区，设置于该第二阱内，该第四重掺杂区具有该第一掺杂型态。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该电阻元件为一多晶硅层。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中该多晶硅层设置于该第一阱上并位于该第一重掺杂区及该第二重掺杂区之间。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，更包括一场氧化层(field oxide，FOX)，该场氧化层设置于该第一阱上并位于该第一重掺杂区及该第二重掺杂区之间。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中该电阻元件为一多晶硅层，该多晶硅层设置于该场氧化层上。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该第一掺杂区包括：

一埋层(buried layer)，设置于该第一阱的下方；以及

一第三阱，设置于该埋层上，其中该第三阱设置于该第一阱及该第二阱之间。

9.一种半导体装置，包括：

一闸流晶体管(thyristor)，具有一等效NPN晶体管以及一等效PNP晶体管；以及

一电阻元件，该等效NPN晶体管的基极经由该电阻元件电性连接于该等效PNP晶体管的基极。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中该闸流晶体管包括：

一衬底；

一第一掺杂区，设置于该衬底上；

一第一阱，设置于该第一掺杂区内；以及

一第一重掺杂区，设置于该第一阱内；

其中该衬底及该第一阱具有一第一掺杂型态，该第一掺杂区及该第一重掺杂区具有一第二掺杂型态，该第一掺杂型态互补于该第二掺杂型态。

11.一种半导体装置的制造方法，包括：

提供一衬底；

形成一第一掺杂区于该衬底上；

形成一第一阱于该第一掺杂区内；

形成一第一重掺杂区于该第一阱内；

形成一第二重掺杂区于该第一阱内，该第二重掺杂区是与该第一重掺杂区间隔开来；

形成一第三重掺杂区于该第一掺杂区内；以及

形成一电阻元件，该第二重掺杂区经由该电阻元件电性连接于该第三重掺杂区；

其中该衬底、该第一阱及该第二重掺杂区具有一第一掺杂型态，该第一掺杂区、该第一重掺杂区及该第三重掺杂区具有一第二掺杂型态，该第一掺杂型态互补于该第二掺杂型态。

12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，更包括：

形成一第二阱于该衬底上，其中该第一掺杂区形成于该第一阱和该第二阱之间，该第二阱具有该第一掺杂型态。

13.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法，更包括：

形成一第四重掺杂区于该第二阱内，该第四重掺杂区具有该第一掺杂型态。

14.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中该电阻元件为一多晶硅层。

15.根据权利要求14所述的半导体装置的制造方法，其中形成该电阻元件的步骤包括：

形成该多晶硅层于该第一阱上并位于该第一重掺杂区及该第二重掺杂区之间。