[发明专利]有机发光二极管显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201310364408.2 | 申请日: | 2013-08-20 |
公开(公告)号: | CN103904100A | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 白钦日;李祉炘 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示装置 及其 制造 方法 | ||
本申请要求享有2012年12月27日在韩国递交的韩国专利申请第10-2012-0155239号以及2013年7月19日在韩国递交的韩国专利申请第10-2013-0085411号的优先权,通过援引的方式将所述两个专利申请的全部内容并入本文。
技术领域
本发明涉及一种有机发光二极管(OLED)显示装置,尤其涉及一种包括四色发光层的OLED显示装置以及所述OLED显示装置的制造方法。
背景技术
新型平板显示装置的OLED显示装置为自发光型。由于OLED显示装置并不需要液晶显示装置所需的背光,所以OLED装置外形纤薄、重量轻。
特别地,使用有机材料可显示各种颜色,例如红色、绿色、蓝色、蓝绿色、浅蓝色等。使用具有出色效率和寿命的红色磷光材料和绿色磷光材料,而使用具有与所述红色磷光材料和所述绿色磷光材料相似的颜色特性和寿命的深蓝色荧光材料。然而,深蓝色荧光材料具有低效率,因而在功耗方面存在缺陷。
图1是用于示出在使用红色磷光材料PH_R、绿色荧光材料FL_G、绿色磷光材料PH_G、蓝色磷光材料PH_B1以及蓝色荧光材料FL_B2的OLED显示装置中的功耗的模拟数据图表。
图1示出使用红色磷光材料PH_R、绿色磷光材料PH_G以及蓝色磷光材料PH_B1的OLED显示装置的功耗与使用红色磷光材料PH_R、绿色磷光材料PH_G以及蓝色荧光材料FL_B2的OLED的功耗相比降低了大约45%。
图2是在现有技术的OLED装置中的子像素布置的示意性平面图。
在图2中,一个像素100a包括红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B。另一方面,另一个像素100b包括红色子像素R、绿色子像素G、磷光材料的浅蓝色子像素B1以及荧光材料的深蓝色子像素B2,从而防止由于荧光材料所造成的功耗增加的问题。
此外,为了显示图像,浅蓝色材料的使用超过70%,深蓝色材料的使用低于30%。使用磷光材料显示浅蓝色图像,而使用荧光材料显示深蓝色图像。因此,需要四种发光材料和四次沉积工艺以制造具有像素100b的OLED显示装置。
图3是包括红色子像素、绿色子像素、第一蓝色子像素以及第二蓝色子像素的现有技术的OLED显示装置的示意性剖面图,参照图3,解释OLED显示装置的制造工艺。
如图3中所示,OLED显示装置包括有机发光单元。有机发光单元包括第一电极106、空穴注入层107、空穴传输层108、发光层109、电子传输层110、电子注入层111以及第二电极112,所述第一电极106与在基板101上形成的薄膜晶体管(TFT)T连接。空穴注入层107、空穴传输层108、发光层109、电子传输层110、电子注入层111以及第二电极112堆叠在第一电极106上。
特别地,在基板101上形成TFT T之后,形成第一电极106、空穴注入层107以及空穴传输层108。接下来,在红色子像素R、绿色子像素G、第一蓝色子像素B1以及第二蓝色子像素B2中形成红色发光层109R、绿色发光层109G、浅蓝色发光层109B1以及深蓝色发光层109B2。为了形成四色像素结构,进一步需要形成浅蓝色发光层109B1或深蓝色发光层109B2的步骤。
也就是说,由于具有四色像素结构的OLED显示装置包括红色子像素R、绿色子像素G、第一蓝色子像素B1以及第二蓝色子像素B2,所以与具有三色像素结构的OLED显示装置相比增加了生产成本和制造步骤。此外,由于用荧光材料来显示深蓝色,所以在功耗方面仍然存在缺陷。
发明内容
因此,本发明涉及一种大体上克服了由于现有技术的限制和缺陷所导致的一个或多个问题的OLED显示装置及其制造方法。
本发明的其它优点和特征将在下面的描述中列出,并且一部分将从这些描述中变得显而易见,或者可以通过实施本发明而获悉。通过说明书、权利要求书以及附图中特别指出的结构,将实现和获得本发明的这些和其它优点。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乐金显示有限公司,未经乐金显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310364408.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:薄膜晶体管
- 下一篇:提高金属连线电迁移可靠性的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的