[发明专利]薄膜吸附设备有效
申请号: | 201310364415.2 | 申请日: | 2013-08-20 |
公开(公告)号: | CN104425326B | 公开(公告)日: | 2017-06-09 |
发明(设计)人: | 翁思渊;蔡馥禧 | 申请(专利权)人: | 致茂电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/683 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾桃园县龟*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 吸附 设备 | ||
1.一种薄膜吸附设备,其特征在于包含:
一支撑座,具有一吸附面;
一第一通道,贯穿该支撑座,该第一通道具有一第一开口与一第二开口,且该第一通道的第一开口位于该吸附面;
一第二通道,贯穿该支撑座,该第二通道具有一第一开口与一第二开口,且该第二通道的第一开口位于该吸附面;以及
一泵,连通于该第二通道的第二开口;
其中当一薄膜放置于该吸附面并覆盖该第一通道的第一开口及该第二通道的第一开口时,该吸附面与该薄膜的间隙连通该第一通道的第一开口与该第二通道的第一开口,该泵抽气以驱动一气流从该第一通道的第二开口流入并依序通过该第一通道的第一开口、该吸附面与该薄膜的间隙与该第二通道的第一开口,以吸附该薄膜。
2.如权利要求1所述的薄膜吸附设备,其特征在于还包含:
一第三通道,贯穿该支撑座,该第三通道具有一第一开口与一第二开口,且该第三通道的第一开口位于该吸附面;以及
一第四通道,贯穿该支撑座,该第四通道具有一第一开口与一第二开口,其中该第四通道的第一开口位于该吸附面。
3.如权利要求2所述的薄膜吸附设备,其特征在于还包含:
一第一阀门,具有一进气口,连通于该第三通道的第二开口与该第四通道的第二开口,以及一出气口,连通于该泵;以及
一第二阀门,具有一进气口,连通于该第二通道的第二开口,以及一出气口,连通于该泵;
其中当该薄膜放置于该吸附面并覆盖该第一通道的第一开口、该第二通道的第一开口、该第三通道的第一开口以及该第四通道的第一开口时,该泵抽气,该第一阀门先开启以真空吸附该薄膜,再开启该第二阀门,使该气流从该第一通道的第二开口流入并通过该吸附面与该薄膜的间隙,以吸附该薄膜。
4.如权利要求1所述的薄膜吸附设备,其特征在于还包含:
一流量控制器,安装于该第一通道的第二开口,用以控制该气流的流量。
5.如权利要求1所述的薄膜吸附设备,其特征在于还包含:
一温度控制器,安装于该第一通道的第二开口,用以控制该气流的温度。
6.一种薄膜吸附设备,其特征在于包含:
一支撑座,具有一吸附面;
一承载膜,设置于该吸附面上;
一第一通道,贯穿该支撑座,该第一通道具有一第一开口与一第二开口,且该第一通道的第一开口位于该吸附面;
一第二通道,贯穿该支撑座,该第二通道具有一第一开口与一第二开口,其中该第二通道的第一开口位于该吸附面;以及
一泵,连通于该第一通道的第二开口与该第二通道的第二开口,用以驱动使一流体从该第一通道的第二开口流入,并通过该吸附面与该承载膜的间隙,由该第二通道的第二开口回到该泵。
7.如权利要求6所述的薄膜吸附设备,其特征在于还包含:
一流量控制器,连通于该第一通道的第二开口与该泵,用以控制该流体的流量。
8.如权利要求6所述的薄膜吸附设备,其特征在于还包含:
一温度控制器,连通于该第一通道的第二开口与该泵,用以控制该流体的温度。
9.如权利要求6所述的薄膜吸附设备,其特征在于当一薄膜放置于该承载膜时,该泵驱动该流体循环,使该承载膜与该薄膜之间形成真空,以吸附该薄膜。
10.如权利要求6所述的薄膜吸附设备,其特征在于该流体为气体或液体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造