[发明专利]基片刻蚀方法

权利要求书

1.一种基片刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：

主刻蚀步骤，向反应腔室内通入刻蚀气体，并开启激励电源和偏压电源，以在基片上刻蚀形成图形的基础轮廓；

过渡步骤，用于将所述主刻蚀步骤需要的工艺参数值逐步调整至过刻蚀步骤需要的工艺参数值，以保证等离子体的稳定性，所述工艺参数值为阻抗值、流量值、压力值和偏压功率值中的至少一种；

过刻蚀步骤，继续向反应腔室内通入刻蚀气体，并保持激励电源和偏压电源开启，以修饰图形形貌，使其达到工艺要求。

2.如权利要求1所述的基片刻蚀方法，其特征在于，

在完成所述主刻蚀步骤之后，且在进行过刻蚀步骤之前，还包括以下步骤：

阻抗过渡步骤，将所述主刻蚀步骤所需的阻抗值，以预定规则增大至所述过刻蚀步骤所需的阻抗值；

其中，所述阻抗值为用于匹配所述激励电源的输出阻抗与匹配网络的输入阻抗的匹配器中的可变阻抗元件的预定阻抗值。

3.如权利要求2所述的基片刻蚀方法，其特征在于，所述预定规则为：每间隔预定时间，以预定幅度增大一次所述阻抗值，且共增大至少两次。

4.如权利要求1所述的基片刻蚀方法，其特征在于，在完成所述主刻蚀步骤之后，且在进行过刻蚀步骤之前，还包括以下步骤：

气流过渡步骤，将所述主刻蚀步骤所需的流量值，以预定规则减小至所述过刻蚀步骤所需的流量值；

其中，所述流量值为向反应腔室通入的刻蚀气体的预定流量值。

5.如权利要求4所述的基片刻蚀方法，其特征在于，所述预定规则为：每间隔预定时间，以预定幅度减小一次所述流量值，且共减小至少两次。

6.如权利要求1所述的基片刻蚀方法，其特征在于，在完成所述主刻蚀步骤之后，且在进行过刻蚀步骤之前，还包括以下步骤：

压力过渡步骤，将所述主刻蚀步骤所需的压力值，以预定规则减小至所述过刻蚀步骤所需的压力值；

其中，所述压力值为所述反应腔室的腔室压力的预定压力值。

7.如权利要求6所述的基片刻蚀方法，其特征在于，所述预定规则为：每间隔预定时间，以预定幅度减小一次所述压力值，且共减小至少两次。

8.如权利要求1所述的基片刻蚀方法，其特征在于，在完成所述主刻蚀步骤之后，且在进行过刻蚀步骤之前，还包括以下步骤：

偏压过渡步骤，将所述主刻蚀步骤所需的偏压功率值，以预定规则增大至所述过刻蚀步骤所需的偏压功率值；

其中，所述偏压功率值为偏压电源的预定偏压功率值。

9.如权利要求8所述的基片刻蚀方法，其特征在于，所述预定规则为：每间隔预定时间，以预定幅度增大一次所述偏压功率值，且共增大至少两次。

10.如权利要求1所述的基片刻蚀方法，其特征在于，在进行所述主刻蚀步骤之前，还包括以下步骤：

第一稳流步骤，向反应腔室内通入刻蚀气体，以保证后续的主刻蚀步骤启辉时，通入反应腔室内的气流达到充足、稳定的状态。

11.一种基片刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：

主刻蚀步骤，向反应腔室内通入刻蚀气体，并开启激励电源和偏压电源，以在基片上刻蚀形成图形的基础轮廓；

激励过渡步骤，关闭偏压电源，并将所述激励电源的激励功率逐步降低至零；

过刻蚀步骤，继续向反应腔室内通入刻蚀气体，并开启激励电源和偏压电源，以修饰图形形貌，使其达到工艺要求。

12.如权利要求11所述的基片刻蚀方法，其特征在于，在进行所述主刻蚀步骤之前，还包括以下步骤：

第一稳流步骤，向反应腔室内通入刻蚀气体，以保证后续的主刻蚀步骤启辉时，通入反应腔室内的气流达到充足、稳定的状态。

13.如权利要求11所述的基片刻蚀方法，其特征在于，在完成所述激励过渡步骤之后，且在进行过刻蚀步骤之前，还包括以下步骤：

第二稳流步骤，向反应腔室内通入刻蚀气体，以保证后续的过刻蚀步骤启辉时，通入反应腔室内的气流达到充足、稳定的状态。