[发明专利]用于将InP薄膜转移到加强基板上的方法

权利要求书

1.一种用于将InP薄膜（11）转移到加强基板（9）上的方法，所述方法包括由以下组成的步骤：

a）提供一种结构（6），所述结构包括InP的表面层（5）和在下面的掺杂InP薄层（4）；

b）通过所述表面层（5）注入氢离子以在所述掺杂薄层（4）中产生弱化平面（7），从而使包括所述表面层（5）的薄膜（11）划界；

c）使所述表面层（5）紧密接触加强基板（9）而设置；以及

d）施加热处理以在所述弱化平面（7）处获得分裂并将所述薄膜（11）转移到所述加强基板（9）上。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述表面层（5）掺杂有与所述掺杂薄层（4）的掺杂剂相同的掺杂剂。

3.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其特征在于，所述掺杂薄层（4）包含浓度在10¹⁷至10²⁰原子/cm³之间的电活性掺杂剂，以致所述掺杂薄层（4）具有0.75至0.9之间的发射率。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，步骤a）包括由以下组成的步骤：

i）提供电阻性InP的基板（1）；

ii）在所述基板（1）中注入掺杂剂离子物质如S、Sn、Zn、Si、Te、Ge或Se以形成掺杂埋层（3），从而使在注入表面和所述埋层（3）之间的表面层（5）划界；

iii）对所述埋层（3）施加热处理以电激活所述掺杂剂离子物质并在InP材料中形成具有0.75至0.9之间的发射率的掺杂薄层（4），以获得所述结构（6）。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，步骤a）包括由以下组成的步骤：

j）提供基板（1），所述基板（1）包括在其表面上的晶种层（14）；

k）在所述晶种层（14）上外延生长掺杂InP薄层（4）；以及

l）在所述掺杂薄层（4）上外延生长InP表面层（5），所述掺杂薄层（4）具有0.75至0.9之间的发射率，以获得所述结构（6）。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述晶种层（14）包含电阻性InP。

7.根据权利要求1或3至6中任一项所述的方法，其特征在于，所述InP表面层（5）形成自电阻性InP，所述电阻性InP选自固有InP或者其掺杂由浓度为10¹⁵至10¹⁶Fe/cm³数量级的电激活Fe掺杂剂补偿的InP。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其特征在于，步骤b）包括在一定能量和电流密度下注入氢离子的步骤，以致在所述掺杂薄层（4）中的注入温度在120至180℃之间。