[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 201310364758.9 | 申请日： | 2013-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104064553A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 山崎尚 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/495;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/58 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 陈海红;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
在将第1端子、厚度比上述第1端子薄的第2端子在安装部的周围间隔开配置的引线框的上述安装部上载置半导体芯片；
由树脂将上述半导体芯片及上述引线框密封；
在上述树脂形成底面位于上述第1端子的上表面和上述第2端子的上表面之间的沟；
填充上述沟，并且，覆盖上述树脂的表面，以与上述第1端子电导通并与上述第2端子电绝缘的方式形成导体层；
以填充在上述沟的导体层的截面露出的方式在厚度方向切断上述树脂。
2.一种半导体装置，其特征在于，包括：
将第1端子、厚度比上述第1端子薄的第2端子在安装部的周围间隔开配置的引线框；
在上述安装部安装的半导体芯片；
密封部件，将上述半导体芯片及上述引线框密封，具有在端面的上述第1端子的上表面和上述第2端子的上表面之间的位置形成的台阶；
导体层，在上述台阶中与上述第1端子的上表面接触，并覆盖上述密封部件。
3.一种半导体装置，其特征在于，包括：
将第1端子、厚度比上述第1端子薄的第2端子在安装部的周围间隔开配置的引线框；
在上述安装部安装的半导体芯片；
密封部件，将上述半导体芯片及上述引线框密封，具有在上表面使上述第1端子露出的孔、和在端面形成的台阶；
导体层，填充在上述孔内，从上述台阶覆盖上侧的上述密封部件。
4.如权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于，
上述第1、第2端子的背面从上述密封部件露出。
5.如权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于，
上述端面是由切割刀片形成的切截面。
6.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
在将第1端子和第2端子在安装部的周围间隔开配置的引线框的上述安装部上载置半导体芯片；
由树脂将上述半导体芯片及上述引线框密封；
在上述树脂在底面位于上述第1端子的上表面和上述第2端子的上表面不露出的位置形成沟；
在上述树脂在上述第1端子的上表面露出的位置形成开口；
填充上述沟和开口，并且，覆盖上述树脂的表面，以与上述第1端子电导通并与上述第2端子电绝缘的方式形成导体层；
以填充在上述沟的导体层的截面露出的方式在厚度方向切断上述树脂。
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