[发明专利]甘草精播双膜滴灌种植方法

权利要求书

1.本发明专利涉及甘草精播双膜滴灌种植方法，通过精播、双膜覆盖、滴灌技术集成配套的甘草种植方法，括整地、覆膜、精播、施肥，所述精播包括精量播种、铺膜、铺滴灌带、覆土“一条龙”作业，取代现有的种植方法中的条播、起垄和育苗移栽。

2.根据权利要求一所述，种子处理一是采用种子质量较好的甘草种子，净度达90%以上，千粒重达9.5克以上，室内发芽率达90%以上；二是用用85%以上的浓硫酸，硫酸和种子以1：40的比例搅拌种子，拌种子时尽量从底翻起拌匀，然后堆闷10分钟再拌，重复4—5次，待甘草种子堆颜色变成深褐色时，取少量甘草种子用水洗涤，甘草种表面出现深色小点，随后用清水反复清洗甘草种籽干净后晾晒备播。

3.根据权利要求一所述，将处理好的甘草种子和适当比例的氮、磷、钾等肥料配比，投入播种盒，安装好成卷的白色地膜和黑色地膜及滴灌带，通过机械一次完成铺设滴灌带、覆黑膜、打孔、穴播、孔覆土、覆白膜、双膜边压土一次完成。

4.根据权利要求一所述，平铺穴播种植，播深圳2cm至3cm，覆土厚度2cm至3cm，行距一膜6行，接行40cm，株距8cm。

5.根据权利要求一所述，铺膜时，改为铺设黑白双层膜种植，具体为下层铺设一层黑膜，用于防除杂草，解决了化学除草的化学残留问题；上层白膜铺设主要是针对新疆春季温度低，不利于甘草萌动发芽的问题，可提高地温2-3℃/天，提早出苗5-7天。

6.根据权利要求一所述，结合播种铺设上膜为白膜，使用为增温、保墒、防碱害，白膜尺寸为130cm×0.008cm；下膜为黑膜，作用为除草、保墒、增温，黑膜尺寸为130cm×0.01cm，在甘草种子发芽出苗后，甘草幼苗生长至黑膜高度2-3cm时，将上层白膜揭去。