[发明专利]电子保护装置、用于驱动电子保护装置的方法及其应用有效
申请号: | 201310365299.6 | 申请日: | 2013-08-21 |
公开(公告)号: | CN103633614B | 公开(公告)日: | 2016-11-02 |
发明(设计)人: | P·格鲁伯 | 申请(专利权)人: | 帝斯贝思数字信号处理和控制工程有限公司 |
主分类号: | H02H3/08 | 分类号: | H02H3/08;H02H3/06 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 沈英莹 |
地址: | 德国帕*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 保护装置 用于 驱动 方法 及其 应用 | ||
1.用于保护至少一个电负载(LS)的电子保护装置(ES),所述电负载能连接到保护装置(ES)上,其中该电子保护装置(ES)具有输入端子(IN)和输出端子(OUT),该保护装置(ES)具有热自恢复的保险丝元件(PF),并且该保险丝元件设计和构建为,根据保险丝元件温度(TPF)传导或限制第一电流(I1),其特征在于,为了限制第一电流(I1),设置限制装置(T1、WA),该限制装置(T1、WA)包括
-与保险丝元件(PF)串联的第一晶体管(T1),和
-影响第一晶体管(T1)的监控电路(WA),
所述监控电路(WA)设计和构建为,
a)在第一电流(I1)达到或超过预定义的最大电流值(Iwh)时使第一晶体管(T1)截止,以及
b)在第一电流(I1)达到或低于预定义的接通电流值(Iwh)时接通第一晶体管(T1)。
2.根据权利要求1所述的电子保护装置(ES),其特征在于,在第一晶体管(T1)和保险丝元件(PF)的串联电路的第一端部上设置输入端子(IN),其中该输入端子(IN)与电压源(VS)连接,并且在第一晶体管(T1)和保险丝元件(PF)的串联电路的第二端部上设置输出端子(OUT),该输出端子(OUT)与负载(LS)连接,其中电子保护装置(ES)设计和构建为,借助影响第一晶体管(T1)的监控电路(WA)在流经负载(LS)的负载电流(I3)超过预定义的最大允许值时在借助延时装置(C1、R2)影响的时间间隔内使第一晶体管(T1)截止,以便使负载电流(I3)的值下降,使得负载电流(I3)下降到或低于预定义的最大允许值。
3.根据权利要求1或2所述的电子保护装置(ES),其特征在于,第一晶体管(T1)是具有源极端子、栅极端子和漏极端子的MOSFET,其中,栅极端子与电流源(CS)和监控电路(WA)连接,能借助监控电路(WA)影响MOSFET的栅源电压。
4.根据权利要求3所述的电子保护装置(ES),其特征在于,与第一晶体管(T1)的栅源结并联地设置用于保护第一晶体管(T1)的过电压保护电路装置(D1、R5)。
5.根据权利要求4所述的电子保护装置(ES),其特征在于,MOSFET的栅极端子和MOSFET的源极端子与由第五电阻(R5)和齐纳二极管(D1)构成的并联电路连接,其中,齐纳二极管(D1)的负极端子(D1K)与MOSFET的栅极端子连接,并且齐纳二极管(D1)的正极端子(D1A)与MOSFET晶体管的源极端子连接。
6.根据权利要求3至5之一所述的电子保护装置(ES),其特征在于,监控电路(WA)包括具有晶闸管正极端子(TA)、晶闸管栅极端子(TG)和晶闸管负极端子(TK)的晶闸管电路(TH),其中,晶闸管正极端子(TA)为了影响MOSFET的栅源电压与MOSFET的栅极连接,并且能借助MOSFET的栅源电压影响第一电流(I1)。
7.根据权利要求6所述的电子保护装置(ES),其特征在于,晶闸管负极端子(TK)与第三晶体管(T3)的集电极端子连接,第三晶体管(T3)为npn双极型晶体管,并且第三晶体管(T3)的基极端子与第三电阻(R3)的第一端子连接,并且第三电阻(R3)的第二端子与MOSFET的漏极端子连接,并且第三晶体管(T3)的基极端子与第四电阻(R4)的第二端子连接并且第四电阻(R4)的第一端子不仅与MOSFET的源极端子连接而且与第三晶体管(T3)的发射极端子连接。
8.根据权利要求6或7所述的电子保护装置(ES),其特征在于,晶闸管栅极端子(TG)与第二晶体管(T2)的集电极端子连接,并且第二晶体管(T2)的基极端子与第三晶体管(T3)的发射极和MOSFET的源极端子连接。
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