[发明专利]电子保护装置、用于驱动电子保护装置的方法及其应用

权利要求书

1.用于保护至少一个电负载（LS）的电子保护装置（ES），所述电负载能连接到保护装置（ES）上，其中该电子保护装置（ES）具有输入端子（IN）和输出端子（OUT），该保护装置（ES）具有热自恢复的保险丝元件（PF），并且该保险丝元件设计和构建为，根据保险丝元件温度（T_PF）传导或限制第一电流（I₁），其特征在于，为了限制第一电流（I₁），设置限制装置（T1、WA），该限制装置（T1、WA）包括

-与保险丝元件（PF）串联的第一晶体管（T1），和

-影响第一晶体管（T1）的监控电路（WA），

所述监控电路（WA）设计和构建为，

a）在第一电流（I₁）达到或超过预定义的最大电流值（I_wh）时使第一晶体管（T1）截止，以及

b）在第一电流（I₁）达到或低于预定义的接通电流值（I_wh）时接通第一晶体管（T1）。

2.根据权利要求1所述的电子保护装置（ES），其特征在于，在第一晶体管（T1）和保险丝元件（PF）的串联电路的第一端部上设置输入端子（IN），其中该输入端子（IN）与电压源（VS）连接，并且在第一晶体管（T1）和保险丝元件（PF）的串联电路的第二端部上设置输出端子（OUT），该输出端子（OUT）与负载（LS）连接，其中电子保护装置（ES）设计和构建为，借助影响第一晶体管（T1）的监控电路（WA）在流经负载（LS）的负载电流（I₃）超过预定义的最大允许值时在借助延时装置（C1、R2）影响的时间间隔内使第一晶体管（T1）截止，以便使负载电流（I₃）的值下降，使得负载电流（I₃）下降到或低于预定义的最大允许值。

3.根据权利要求1或2所述的电子保护装置（ES），其特征在于，第一晶体管（T1）是具有源极端子、栅极端子和漏极端子的MOSFET，其中，栅极端子与电流源（CS）和监控电路（WA）连接，能借助监控电路（WA）影响MOSFET的栅源电压。

4.根据权利要求3所述的电子保护装置（ES），其特征在于，与第一晶体管（T1）的栅源结并联地设置用于保护第一晶体管（T1）的过电压保护电路装置（D1、R5）。

5.根据权利要求4所述的电子保护装置（ES），其特征在于，MOSFET的栅极端子和MOSFET的源极端子与由第五电阻（R5）和齐纳二极管（D1）构成的并联电路连接，其中，齐纳二极管（D1）的负极端子（D1_K）与MOSFET的栅极端子连接，并且齐纳二极管（D1）的正极端子（D1_A）与MOSFET晶体管的源极端子连接。

6.根据权利要求3至5之一所述的电子保护装置（ES），其特征在于，监控电路（WA）包括具有晶闸管正极端子（T_A）、晶闸管栅极端子（T_G）和晶闸管负极端子（T_K）的晶闸管电路（TH），其中，晶闸管正极端子（T_A）为了影响MOSFET的栅源电压与MOSFET的栅极连接，并且能借助MOSFET的栅源电压影响第一电流（I₁）。

7.根据权利要求6所述的电子保护装置（ES），其特征在于，晶闸管负极端子（T_K）与第三晶体管（T3）的集电极端子连接，第三晶体管（T3）为npn双极型晶体管，并且第三晶体管（T3）的基极端子与第三电阻（R3）的第一端子连接，并且第三电阻（R3）的第二端子与MOSFET的漏极端子连接，并且第三晶体管（T3）的基极端子与第四电阻（R4）的第二端子连接并且第四电阻（R4）的第一端子不仅与MOSFET的源极端子连接而且与第三晶体管（T3）的发射极端子连接。

8.根据权利要求6或7所述的电子保护装置（ES），其特征在于，晶闸管栅极端子（T_G）与第二晶体管（T2）的集电极端子连接，并且第二晶体管（T2）的基极端子与第三晶体管（T3）的发射极和MOSFET的源极端子连接。