[发明专利]一种氧化物薄膜的溅射方法

权利要求书

1.一种氧化物薄膜的溅射方法，其特征在于：将臭氧直接通入物理气相沉积设备的反应腔内作为溅射气体进行氧化物薄膜沉积。

2.根据权利要求1所述的一种氧化物薄膜的溅射方法，其特征在于：通入反应腔内的臭氧的流量占溅射使用气体总流量的0.1%~50%。

3.根据权利要求2所述的一种氧化物薄膜的溅射方法，其特征在于：通入反应腔内的臭氧的流量占溅射使用气体总流量的5%或者10%或者30%或者40%。

4.根据权利要求1或2或3所述的一种氧化物薄膜的溅射方法，其特征在于：所述物理气相沉积设备为直流溅射、射频溅射、中频溅射、交流溅射或者脉冲直流溅射设备中的任意一种。

5.根据权利要求1或2或3所述的一种氧化物薄膜的溅射方法，其特征在于：所述物理气相沉积设备为单靶直接溅射方式或者为多靶共溅射方式。

6.根据权利要求1所述的一种氧化物薄膜的溅射方法，其特征在于：所述臭氧是通过臭氧发生器以电晕放电法、紫外照射法或者电解法中的任意一种方式制备而成。

7.根据权利要求1所述的一种氧化物薄膜的溅射方法，其特征在于：所述氧化物薄膜为金属氧化物半导体薄膜，所述金属氧化物半导体薄膜具体为氧化铟锌镓、氧化铟锌、氧化铟锌铪、氧化铟锌铝或者氧化铟锌锡薄膜中的任意一种。

8.根据权利要求1所述的一种氧化物薄膜的溅射方法，其特征在于：所述氧化物薄膜为透明导电薄膜，所述透明导电薄膜具体为氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌铝或者氧化锌镓薄膜中的任意一种。

9.根据权利要求1所述的一种氧化物薄膜的溅射方法，其特征在于：所述氧化物薄膜为介质膜，所述介质膜具体为氧化硅、氮氧化硅、碳氧化硅或者氧化铝薄膜中的任意一种。

10.根据权利要求1所述的一种氧化物薄膜的溅射方法，其特征在于：所述氧化物薄膜的衬底为硬质玻璃基板或者柔性塑料基板。