[发明专利]离子源以及离子注入装置有效
申请号: | 201310365575.9 | 申请日: | 2013-08-20 |
公开(公告)号: | CN104425198B | 公开(公告)日: | 2017-08-08 |
发明(设计)人: | 许飞;秦斌;汪东;周智;於鹏飞 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01J37/08 | 分类号: | H01J37/08 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人: | 屈蘅,李时云 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 离子源 以及 离子 注入 装置 | ||
1.一种离子源,所述离子源具有一真空室,所述真空室包括一等离子体形成容器,所述等离子体形成容器包括:
两个相对的侧面;
第一阴极,设置在所述等离子体形成容器的一侧面中,用于放出电子;
第一旁热式阴极,所述第一阴极放出的电子碰撞所述第一旁热式阴极后,进入所述等离子体形成容器;
第二阴极,设置在所述等离子体形成容器的另一侧面中,用于放出电子;
第二旁热式阴极,所述第二阴极放出的电子碰撞所述第二旁热式阴极后,进入所述等离子体形成容器;
当所述第一旁热式阴极放出电子时,所述第二阴极不通电,所述第二旁热式阴极反射电子;当所述第二旁热式阴极放出电子时,所述第一阴极不通电,所述第一旁热式阴极反射电子。
2.如权利要求1所述的离子源,其特征在于,所述离子源还具有一电源连接端,所述电源连接端具有第一阴极接入端、第一阴极接出端、第二阴极接入端以及第二阴极接出端,所述第一阴极接入端和第一阴极接出端分别连接第一阴极的正极和负极,所述第二阴极接入端和第二阴极接出端分别连接第二阴极的正极和负极;当在所述第一阴极接入端和第一阴极接出端施加工作电压时,所述第一阴极通电,当在所述第二阴极接入端和第二阴极接出端施加工作电压时,所述第二阴极通电。
3.如权利要求2所述的离子源,其特征在于,所述电源连接端还具有第一旁热式阴极连接端和第二旁热式阴极连接端,所述第一旁热式阴极连接端和第二旁热式阴极连接端分别连接所述第一旁热式阴极和第二旁热式阴极。
4.如权利要求2所述的离子源,其特征在于,所述电源连接端设置于所述真空室的外部。
5.如权利要求1所述的离子源,其特征在于,所述第一旁热式阴极和第二旁热式阴极的电位相等。
6.如权利要求5所述的离子源,其特征在于,所述第一旁热式阴极和第二旁热式阴极的电压均为300V~600V。
7.如权利要求1-6中任意一项所述的离子源,其特征在于,所述等离子体形成容器具有两个相对的壁面,所述壁面与所述侧面垂直设置,所述离子源还包括一气体进入口和一开口部,所述气体进入口设置于所述等离子体形成容器的一壁面中,为所述等离子体形成容器提供可电离气体,所述开口部位于所述等离子体形成容器的另一壁面中。
8.如权利要求1所述的离子源,其特征在于,所述第一旁热式阴极为一端开口的筒状,所述第一阴极设置于所述第一旁热式阴极的内部。
9.如权利要求8所述的离子源,其特征在于,所述第一旁热式阴极间隙置于所述等离子体形成容器的侧面中,所述间隙为3mm~5mm。
10.如权利要求1所述的离子源,其特征在于,所述第二旁热式阴极为一端开口的筒状,所述第二阴极设置于所述第二旁热式阴极的内部。
11.如权利要求10所述的离子源,其特征在于,所述第二旁热式阴极间隙置于所述等离子体形成容器的侧面中,所述间隙为3mm~5mm。
12.一种离子注入装置,包括如权利要求1-11中任意一项所述的离子源。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310365575.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。