[发明专利]浮栅及其形成方法、闪存单元及其形成方法

权利要求书

1.一种浮栅的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成栅介质层；

在所述栅介质层上形成浮栅层；

直接在所述浮栅层掺入氟离子；

进行退火处理；

所述浮栅层的材料为多晶硅；

采用原位掺杂的方法在所述浮栅层掺入所述氟离子；

所述氟离子的原位掺杂浓度范围为1E17atom/cm³～1E20atom/cm³；

在所述退火处理后，所述浮栅层中还包括有游离的氟离子。

2.如权利要求1所述的浮栅的形成方法，其特征在于，所述退火处理的温度范围包括500℃～1000℃，时间范围包括10s～100s。

3.如权利要求1所述的浮栅的形成方法，其特征在于，所述浮栅层的厚度范围包括200埃～2000埃。

4.如权利要求1所述的浮栅的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：在所述浮栅层掺入导电离子。

5.如权利要求4所述的浮栅的形成方法，其特征在于，采用原位掺杂方式在所述浮栅层掺入所述导电离子，所述导电离子的掺杂浓度为1E17atom/cm³～1E20atom/cm³。

6.如权利要求4所述的浮栅的形成方法，其特征在于，采用离子注入方式在所述浮栅层掺入所述导电离子，所述导电离子的注入浓度范围包括1E13atom/cm²～1E16atom/cm²，注入能量范围包括1KeV～100KeV。

7.如权利要求4所述的浮栅的形成方法，其特征在于，所述导电离子包括磷离子或者砷离子。

8.一种闪存单元的形成方法，其特征在于，包括如权利要求1至7任一项所述的浮栅的形成方法。

9.一种浮栅，其特征在于，包括：

半导体衬底；

栅介质层，位于所述半导体衬底上；

浮栅层，位于所述栅介质层上；

所述浮栅层的材料为多晶硅；

所述浮栅层中掺有氟离子；

所述氟离子的浓度范围包括1E17atom/cm³～1E20atom/cm³；

所述浮栅层中还包括有游离的氟离子。

10.一种闪存单元，其特征在于，包括如权利要求9所述的浮栅。