[发明专利]去除栅介质层的方法

权利要求书

1.一种去除栅介质层的方法，其步骤包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅介质层，在所述栅介质层上形成有虚拟栅极，在所述虚拟栅极两侧形成有侧墙，在所述半导体衬底上、虚拟栅极之间填充有层间介质层；

对所述层间介质层以及侧墙进行第一预处理；

去除所述虚拟栅极，暴露出所述栅介质层；

分步刻蚀所述栅介质层，在相邻的分步刻蚀之间对所述层间介质层以及侧墙进行第二预处理，直至完全去除所述栅介质层。

2.如权利要求1所述的去除栅介质层的方法，其特征在于，所述第一预处理采用氮气、氩气或者氮气和氩气混合的电浆对所述层间介质层以及侧墙进行轰击。

3.如权利要求2所述的去除栅介质层的方法，其特征在于，所述氮气或氩气流量范围是5000sccm～15000sccm。

4.如权利要求3所述的去除栅介质层的方法，其特征在于，所述第一预处理的处理时间范围是10s～60s。

5.如权利要求1所述的去除栅介质层的方法，其特征在于，所述第二预处理采用O₃的电浆对所述层间介质层以及侧墙进行干法处理。

6.如权利要求5所述的去除栅介质层的方法，其特征在于，所述O₃的流量范围是10000sccm～20000sccm。

7.如权利要求5所述的去除栅介质层的方法，其特征在于，所述第二预处理的时间范围是20s～60s。

8.如权利要求1所述的去除栅介质层的方法，其特征在于，所述第二预处理采用O₃和去离子水对所述层间介质层以及侧墙进行湿法处理。

9.如权利要求8所述的去除栅介质层的方法，其特征在于，所述O₃的流量范围是5ppm～100ppm，所述去离子水的流量范围是1L～2L。

10.如权利要求8所述的去除栅介质层的方法，其特征在于，所述第二预处理的时间范围是20s～120s。

11.如权利要求1所述的去除栅介质层的方法，其特征在于，采用氢氟酸对所述栅介质层进行分步刻蚀。

12.如权利要求11所述的去除栅介质层的方法，其特征在于，所述氢氟酸采用三步刻蚀去除所述栅介质层。

13.如权利要求12所述的去除栅介质层的方法，其特征在于，每步使用所述氢氟酸进行刻蚀的时间范围是5s～60s,浓度范围是50:1～500:1。

14.如权利要求13所述的去除栅介质层的方法，其特征在于，在第一步和第二步刻蚀的之后，均对所述层间介质层以及侧墙进行第二预处理。

15.如权利要求1所述的去除栅介质层的方法，其特征在于，所述栅介质层的材质为二氧化硅。

16.如权利要求15所述的去除栅介质层的方法，其特征在于，所述栅介质层采用热氧化法形成。

17.如权利要求1所述的去除栅介质层的方法，其特征在于，所述侧墙的材质包括二氧化硅、氮化硅和氮氧化硅。

18.如权利要求1所述的去除栅介质层的方法，其特征在于，所述层间介质层的材质为二氧化硅。