[发明专利]CMOS结构的形成方法

权利要求书

1.一种CMOS结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述半导体衬底的第一区域表面具有第一栅极结构、位于第一栅极结构侧壁的第一侧墙和位于第一侧墙侧壁的第一偏移侧墙，所述第一栅极结构的顶部表面具有第一硬掩膜层，所述半导体衬底的第二区域表面具有第二栅极结构、位于第二栅极结构侧壁的第二侧墙和位于第二侧墙侧壁的第二偏移侧墙，所述第二栅极结构的顶部表面具有第二硬掩膜层；

对第一区域的第一栅极结构两侧暴露出来的半导体衬底进行刻蚀，形成沟槽，并在所述沟槽内形成应力材料层；

在所述半导体衬底表面形成表面平坦的牺牲层，所述牺牲层覆盖第一硬掩膜层、第二硬掩膜层表面；

平坦化牺牲层、第一硬掩膜层和第二硬掩膜层，使得第一硬掩膜层和第二硬掩膜层表面齐平且厚度相等；

去除剩余的牺牲层，并去除第一硬掩膜层、第二硬掩膜层、第一偏移侧墙和第二偏移侧墙；

在半导体衬底表面、第一侧墙和第二侧墙侧壁表面、第一栅极结构和第二栅极结构的顶部表面形成应力刻蚀阻挡层。

2.如权利要求1所述的CMOS结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层为具有流动性的介质材料层。

3.如权利要求2所述的CMOS结构的形成方法，其特征在于，所述具有流动性的介质材料层为底部抗反射层材料、紫外光吸收氧化物层或有机绝缘层。

4.如权利要求1所述的CMOS结构的形成方法，其特征在于，去除部分厚度的牺牲层和第一硬掩膜层、第二硬掩膜层的工艺为回刻蚀工艺或化学机械研磨工艺。

5.如权利要求1所述的CMOS结构的形成方法，其特征在于，去除部分厚度的牺牲层和第一硬掩膜层、第二硬掩膜层后，剩余的第一硬掩膜层和第二硬掩膜层的厚度与第一偏移侧墙和第二偏移侧墙的厚度相对应，使得后续能同时完全去除第一硬掩膜层、第二硬掩膜层、第一偏移侧墙和第二偏移侧墙。

6.如权利要求1所述的CMOS结构的形成方法，其特征在于，去除第一硬掩膜层、第二硬掩膜层、第一偏移侧墙和第二偏移侧墙的工艺为干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺。

7.如权利要求1所述的CMOS结构的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙和第二侧墙的材料相同，所述第一偏移侧墙和第二偏移侧墙的材料相同，且所述第一侧墙、第二侧墙的材料与第一偏移侧墙、第二偏移侧墙的材料不同。

8.如权利要求7所述的CMOS结构的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙和第二侧墙、第一偏移侧墙和第二偏移侧墙为氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层或三者的堆叠结构。

9.如权利要求1所述的CMOS结构的形成方法，其特征在于，在第一区域形成第一栅极结构、第一侧墙、第一偏移侧墙、第一硬掩膜层，在第二区域形成第二栅极结构、第二侧墙、第二偏移侧墙和第二硬掩膜层的工艺包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底的第一区域表面形成第一栅极结构，在所述半导体衬底的第二区域表面形成第二栅极结构；

在所述第一栅极结构侧壁形成第一侧墙，在所述第二栅极结构侧壁形成第二侧墙；

在所述第一侧墙的侧壁形成第一偏移侧墙，在所述第二侧墙的侧壁形成第二偏移侧墙；

在所述第一栅极结构的顶部表面形成第一硬掩膜层，在所述第二栅极结构的顶部表面形成第二硬掩膜层。

10.如权利要求9所述的CMOS结构的形成方法，其特征在于，还包括：在形成第一侧墙和第二侧墙之后，在所述第一栅极结构两侧暴露出来的半导体衬底内形成第一轻掺杂源漏区，在所述第二栅极结构两侧暴露出来的半导体衬底内形成第二轻掺杂源漏区。

11.如权利要求9所述的CMOS结构的形成方法，其特征在于，在形成第一偏移侧墙和第二偏移侧墙之后，在所述第一栅极结构两侧暴露出来的半导体衬底内形成第一源漏区，在所述第二栅极结构两侧暴露出来的半导体衬底内形成第二源漏区。

12.如权利要求1所述的CMOS结构的形成方法，其特征在于，所述应力刻蚀阻挡层为具有拉应力或压应力的氮化硅层。

13.如权利要求1所述的CMOS结构的形成方法，其特征在于，所述第一区域为NMOS晶体管区域或PMOS晶体管区域。

14.如权利要求1所述的CMOS结构的形成方法，其特征在于，所述应力材料层的材料为锗硅或碳化硅。