[发明专利]一种室温下液态的四酮肟基硅烷的制备方法有效

专利信息
申请号: 201310366823.1 申请日: 2013-08-22
公开(公告)号: CN103467505A 公开(公告)日: 2013-12-25
发明(设计)人: 李冲合;王伟;王燕锋;洪璞 申请(专利权)人: 浙江衢州硅宝化工有限公司
主分类号: C07F7/02 分类号: C07F7/02
代理公司: 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 代理人: 尉伟敏
地址: 324000 浙*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 室温 液态 四酮肟基 硅烷 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种室温下液态的四酮肟基硅烷的制备方法,其特征在于:

(1)原料配比:原料为四氯化硅、丁酮肟、甲基异丁酮肟、氨气和120号溶剂油;按照摩尔比,四氯化硅:丁酮肟:甲基异丁酮肟:氨气= 1:(2-2.2): (2-2.2):(4-5.2),120号溶剂油用量为四氯化硅的2-4倍重量;

(2)反应条件:按配比将丁酮肟、甲基异丁酮肟和120号溶剂油泵入到带搅拌的反应釜中,在搅拌情况下,同时加入四氯化硅和氨气,控制四氯化硅和氨气的加入速度,使反应温度在20-80℃,加料完毕,停止反应,过滤,分离出副产物氯化铵,得到四酮肟基硅烷的半成品,将该半成品先进入第一个薄膜蒸发器,蒸馏出120号溶剂油,再进入第二个薄膜蒸发器,蒸馏出过量的丁酮肟和甲基异丁酮肟,得到产品。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤(2)中,使反应温度在30-60℃。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于:第一个薄膜蒸发器温度控制在80-100℃。

4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于:第一个薄膜蒸发器真空度控制在-0.09Mpa以上。

5.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于:第二个薄膜蒸发器温度控制在100-120℃。

6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于:第二个薄膜蒸发器真空度控制在-0.098Mpa以上。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江衢州硅宝化工有限公司,未经浙江衢州硅宝化工有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310366823.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top