[发明专利]平板显示器的半透过电极用Ag合金膜及平板显示器用半透过电极

说明书

技术领域

本发明涉及例如TV、PC、触摸面板、手机等的平板显示器的半透过电极所用的Ag合金膜及使用该Ag合金膜的平板显示器用半透过电极以及具备该半透过电极的平板显示器。

背景技术

可作为TV、PC、触摸面板、手机以及其它各种工业设备的平面显示装置举出的、液晶显示器、电致发光显示器（ELD、作为具体例为有机EL、无机EL）、场致发射显示器（FED）、等离子显示器（PDP）等总称为平板显示器（FPD）。

在上述平板显示器（FPD）中作为构成部件使用多个电极，其中，对于配置于光取出侧的电极（例如在有机EL中为顶发射结构的情况下的光取出侧电极等），作为其特性，要求在显示恒定以上的反射率的同时显示恒定以上的透过率、即要求半透过。另外，作为电极，还要求能抑制电阻率（以下将要求这些特性的电极称作“半透过电极”）。

作为上述半透过电极，通常单独使用透明导电膜或使用透明导电膜和Ag系膜的层叠膜。所述Ag系膜在一定膜厚以上显示对可见光较高的反射率且能够确保低电阻，因此优选使用。

例如，在专利文献1中提出有一种半透过半反射型电极基板，该半透过半反射型电极基板具备设于透明基板且构成透明电极的透明导电层和设于透明基板且反射外光、并且与上述透明导电层电连接而构成反射电极的金属反射层。

另外，构成半透过电极的透明导电膜通常使用ITO膜。刚刚成膜后的ITO膜处于非晶质状态，为了谋求提高ITO膜的特性，为了将ITO膜聚化，使上述Ag系膜和透明导电膜的层叠体（半透过电极）经由加热工序。即，上述Ag系膜也被加热，但Ag系膜具有因加热而容易凝集这样的缺点。特别是纯Ag膜由加热引起的凝集更加显著，在层叠了ITO膜的状态下，经由加热工序时，表面电阻值也增加。

作为Ag系膜，迄今为止提出有几种反射电极。例如，在专利文献2中公开了显示较高的反射率、厚度100nm的Ag系膜。但是，作为上述反射电极使用的Ag系膜的膜厚较厚，不能实现上述的半透过。另一方面，若减薄Ag系膜的膜厚，则表面电阻值容易变高，存在难以作为电极使用这样的问题。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009－8892号公报

专利文献2：日本特开2010－225586号公报

发明内容

本发明是着眼于上述情况而做成的，其目的在于提供能实现半透过的膜厚比较薄的Ag合金膜、即表面电阻值较低且显示期望的反射率和透过率的、适用于平板显示器的半透过电极及即使经由上述的加热工序也不易使特性劣化的、使用了上述Ag合金膜的半透过电极以及具备该半透过电极的平板显示器。

能够解决上述课题的本发明的平板显示器的半透过电极用Ag合金膜是设于基板上的半透过电极所用的Ag合金膜，其特征在于，该Ag合金膜含有0.1～1.0at％的Bi，且膜厚为5nm以上且小于25nm，而且表面电阻值为15Ω／单位面积以下。

所述Ag合金膜优选还含有0.1～5.0at％的稀土类元素，作为该稀土类元素，更优选含有Nd。

本发明还包含平板显示器用半透过电极，其特征在于，该平板显示器用半透过电极仅在所述Ag合金膜的正上方或在所述Ag合金膜的正上方及正下方形成有透明导电膜。

另外，本发明还包含具备所述半透过电极的平板显示器。

发明效果

根据本发明，能获得Ag系膜的膜厚比较薄、且显示恒定以上的反射率和恒定以上的透过率、并且表面电阻值较小、作为平板显示器的半透过电极用最合适的Ag合金膜。另外，本发明的半透过电极在透明导电膜（ITO膜）的加热处理后（聚化）也能抑制Ag的凝集，能实现低电阻率。其结果，能实现特性良好的平板显示器。

本发明的Ag合金膜如上所述显示恒定以上的反射率和恒定以上的透过率，且表面电阻值显示恒定以下。各特性的基准如下所示。即，上述“恒定以上的反射率”是指在利用后述的实施例所记载的方法测定Ag合金膜为550nm下的初期反射率时为30％以上。该初期反射率优选为35％以上，更优选为40％以上。

另外，上述“恒定以上的透过率”是指在利用后述的实施例所记载的方法测定Ag合金膜的550nm下的透过率时为10％以上。该透过率优选为11％以上。需要说明的是，透过率的上限为25％左右。