[发明专利]高增益的AlGaN紫外雪崩光电探测器及其制备方法无效
| 申请号： | 201310367175.1 | 申请日： | 2013-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN103400888A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 陈敦军;张荣;郑有炓 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 增益 algan 紫外 雪崩 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
1.一种高增益的AlGaN紫外雪崩光电探测器，其结构从下至上依次为：AlN模板层、AlxGa1-xN缓冲层、n型AlxGa1-xN层、i型AlyGa1-yN吸收层、n型AlyGa1-yN分离层、i型AlyGa1-yN倍增层、p型AlzGa1-zN层、p型GaN层，在n型AlxGa1-xN层上引出n型欧姆电极，在p型GaN层上引出p型欧姆电极，其特征在于：所述x、y、z满足0＜z＜y＜x。
2.根据权利要求1所述的高增益的AlGaN紫外雪崩光电探测器，其特征在于：所述AlxGa1-xN缓冲层厚度为300～600nm，所述n型AlxGa1-xN层厚度为300～600nm，所述i型AlyGa1-yN吸收层厚度为150～220nm，所述n型AlyGa1-yN分离层厚度为60～80nm，所述i型AlyGa1-yN倍增层厚度为150～200nm，所述p型AlxGa1-xN层厚度为80～120nm，所述p型GaN层厚度为30～80nm。
3.根据权利要求1或2所述的高增益的AlGaN紫外雪崩光电探测器，其特征在于：所述AlN模板层为蓝宝石衬底上生长的AlN层，厚度为500nm。
4.根据权利要求1或2中任一项所述的高增益的AlGaN紫外雪崩光电探测器，其特征在于：所述n型欧姆电极为Ti/Al/Ni/Au合金电极，p型欧姆电极为Ni/Au合金电极。
5.权利要求1-4中任一项所述的高增益的AlGaN紫外雪崩光电探测器的制备方法，其步骤包括：
(1)将AlN模板在NH3气氛下表面氮化；
(2)在AlN模板衬底上生长一层AlxGa1-xN缓冲层；
(3)在AlxGa1-xN缓冲层上生长一层n型AlxGa1-xN层；
(4)在n型AlxGa1-xN层上生长一层i型AlyGa1-yN吸收层；
(5)在i型AlyGa1-yN吸收层上生长一层n型AlyGa1-yN分离层；
(6)在n型AlyGa1-yN分离层上生长一层i型AlyGa1-yN倍增层；
(7)在i型AlyGa1-yN倍增层上生长一层p型AlzGa1-zN层；
(8)在p型AlzGa1-zN层上生长一层P型GaN层；
(9)在p型GaN层上进行台面刻蚀，露出n型AlxGa1-xN层，对刻蚀后的样品表面进行净化处理；
(10)在n型AlxGa1-xN层台面上蒸镀n型欧姆电极，蒸镀后退火；
(11)在p型GaN层上蒸镀p型欧姆电极，蒸镀后退火；
其中x、y、z满足0＜z＜y＜x。
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