[发明专利]发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

第一导电半导体层；

在所述第一导电半导体层上的第二导电半导体层；以及

在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的有源层，所述有源层包括多个阱层和多个势垒层，

其中所述多个阱层包括第一阱层和相邻于所述第一阱层的第二阱层，

其中所述多个势垒层包括设置在所述第一阱层和所述第二阱层之间的第一势垒层，

其中所述第一势垒层包括其能带隙宽于所述第一阱层的能带隙的多个半导体层，以及

其中所述多个半导体层中的相邻于所述第一阱层和所述第二阱层的至少两层的铝含量大于其它的层的铝含量。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述多个半导体层中的所述至少两层中的每一个的厚度薄于所述其它的层的厚度。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述至少两层中的每一个的厚度薄于所述第一阱层和所述第二阱层中的每一个的厚度。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述多个半导体层中的所述至少两层的能带隙宽于所述其它的层的能带隙。

5.根据权利要求4所述的发光器件，其中所述多个半导体层中的所述至少两层的势垒高度高于所述其它的层的势垒高度。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中所述多个半导体层中的所述至少两层的晶格常数小于所述其它的层的晶格常数。

7.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述多个半导体层包括：

第一半导体层，所述第一半导体层具有比所述第一阱层的第一能带隙宽的第二能带隙；

在所述第一阱层和所述第一半导体层之间的第二半导体层，所述第二半导体层具有比所述第二能带隙宽的第三能带隙；和

在所述第一半导体层和所述第二阱层之间的第三半导体层，所述第三半导体层具有比所述第二能带隙宽的第四能带隙。

8.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述第一半导体层包括包含铝(Al)或氮(N)的三元化合物半导体或四元化合物半导体。

9.根据权利要求8所述的发光器件，其中所述第二半导体层和所述第三半导体层包含AlN材料。

10.根据权利要求9所述的发光器件，其中所述第二半导体层和所述第三半导体层中的每一个的厚度薄于所述第一阱层的厚度。

11.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述第一半导体层与所述第一阱层的厚度差小于所述第二半导体层与所述第一半导体层的厚度差。

12.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述第二半导体层和所述第三半导体层包含其晶格常数小于所述第一半导体层的晶格常数的材料。

13.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述第二半导体层的厚度等于所述第三半导体层的厚度。

14.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述第二半导体层和所述第三半导体层中的每一个的厚度在1nm至10nm的范围内。

15.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述阱层包括包含镓(Ga)或氮(N)的三元化合物半导体或四元化合物半导体，以及

其中所述有源层发射波长为385nm或更小的光。

16.根据权利要求1至5中任一项所述的发光器件，还包括在所述有源层和所述第二导电半导体层之间的电子阻挡层，

其中所述第一导电半导体层包含n型掺杂剂，

其中所述第二导电半导体层包含p型掺杂剂。

17.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述第二导电半导体层接触所述第一阱层的顶表面，以及

其中所述第三半导体层接触所述第二阱层的底表面。

18.根据权利要求16所述的发光器件，其中最靠近所述电子阻挡层的第二势垒层和接触所述第一导电半导体层的顶表面的第三势垒层中的至少之一包含AlN。

19.根据权利要求16所述的发光器件，其中最靠近所述电子阻挡层的第二势垒层包括AlN/AlGaN势垒结构，

所述AlN层的厚度薄于所述第一阱层的厚度，以及

所述阱层包括其铟组成比在1％至5％范围内的InGaN半导体。