[发明专利]半导体器件以及制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201310367773.9 | 申请日： | 2013-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN103681711A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 高地泰三;胁山悟 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
半导体层；
保护层，包括透明材料；以及
透明树脂层，密封所述半导体层和所述保护层之间的间隙，
其中，杨氏模量比所述透明树脂层高的防碎部件被形成为与分割前的层结构的切割部分中的所述半导体层接触，并且在用于所述分割的所述切割部分中执行切割。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述透明树脂层被插入在所述防碎部件和所述保护层之间。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中，切割前的所述防碎部件的宽度被设置为在用于切割所述防碎部件的切割刀片的厚度B的1.5倍至3.0倍的范围内，以及
其中，所述分割后的所述防碎部件的宽度被设置为在（1.5B/2-B/2）至（3B/2-B/2）的范围内。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中，所述透明树脂层的杨氏模量被设置为等于或小于1.5Gpa，以及
其中，所述防碎部件的杨氏模量被设置为等于或大于2.5Gpa。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述防碎部件包括树脂。
6.根据权利要求5所述的半导体层，其中，所述防碎部件包括任何硅氧烷基树脂、丙烯酸基树脂和环氧基树脂。
7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述防碎部件的树脂材料包含填充物。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述保护层包括玻璃。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述保护层包括Si基材料。
10.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
形成分割前的层结构，其中，半导体层和包括透明材料的保护层之间的间隙以晶片级被透明树脂密封，从而使得杨氏模量比透明树脂层高的防碎部件被形成为与用于所述分割的切割部分中的所述半导体层接触；以及
在所述切割部分中对所述分割前的所述层结构进行切割，所述切割部分在形成所述分割前的所述层结构的步骤中形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司，未经索尼公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
