[发明专利]空间飞行器用钼/铂/银层状金属基复合材料的制备工艺有效
申请号: | 201310369272.4 | 申请日: | 2013-08-20 |
公开(公告)号: | CN103681952A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 黄远;马芝存;何芳;王玉林 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C25D5/10;C25D5/50 |
代理公司: | 天津市杰盈专利代理有限公司 12207 | 代理人: | 王小静 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 空间 飞行 器用 层状 金属 复合材料 制备 工艺 | ||
1.一种太阳电池阵互连片用钼/铂/银层状金属基复合材料的制备工艺,包括以下步骤:
1)对钼金属箔进行去油、清洗、刻蚀、超声波清洗的前处理;
2)采用直流电镀装置对钼金属表面电镀铂,获得钼/铂电镀试样;
3)将上一步骤所获钼电镀铂试样进行第一次惰性气氛保护下退火获得了钼/铂层状退火试样;
4)采用直流电镀装置对钼/铂层状退火试样表面电镀银,获得钼/铂/银电镀试样;
5)将上一步骤所获钼/铂/银电镀试样进行第二次惰性气氛保护退火,最终获得了钼/铂/银层状金属基复合材料。
2.一种太阳电池阵互连片用钼/铂/银层状金属基复合材料的制备工艺,包括以下步骤:
1)对钼金属箔的进行去油、清洗、刻蚀和超声波清洗前处理,其特征在于:
2)采用直流电镀装置,用铂电极作为阳极、钼金属作为阴极,在钼金属表面电镀铂,获得钼/铂电镀试样;
3)在氩气保护下900-950 对钼/铂电镀试样进行第一次气氛保护退火3.5~4小时,退火后获得钼/铂层状退火试样;
4)采用直流电镀装置,用纯银板作为阳极、钼/铂层状退火试样作为阴极,进行电镀银,得到钼/铂/银电镀试样;
5)将钼/铂/银电镀试样在氩气保护下700-750进行第二次气氛保护退火4~4.5小时,退火后最终获得钼/铂/银层状金属基复合材料。
3. 按照权利要求1或2所述的制备工艺,其特征在于所述的复合材料的结构为银-铂-钼-铂-银的层状结构,铂为钼与银之间的中间金属层;钼-铂和铂-银界面上均发生扩散形成冶金结合。
4. 按照权利要求1或2所述的制备工艺,其特征在于所述的复合材料中钼基体层厚度为12m,铂中间层厚度为0.5m,银表层厚度为5m。
5. 按照权利要求1或2所述的制备工艺,其特征在于所述的电镀铂溶液成分和工艺参数如下:
磷酸氢二钠 140g/L pH值 7-7.5
磷酸氢二铵 40g/L 电流密度 4-4.5A·dm-2
氯铂酸 0.5308g/L 电镀时间 3.5-4h
十二烷基磺酸钠 0.01g/L 电镀温度 80-85。
6. 按照权利要求1或2所述的制备工艺,其特征在于所述的电镀银溶液成分和工艺参数为:
硫代硫酸钠 250g/L pH值 6.5~8
焦亚硫酸钾 45g/L 电流密度 0.40-0.45A·dm-2
乙酸铵 150g/L 电镀时间 20-25min
硝酸银 45g/L 电镀温度 18~35
硫代氨基脲 0.8g/L 。
7. 按照权利要求2所述的制备工艺,其特征在于步骤3)所述退火过程为:以5℃每分钟的升温速率升至250℃,在250℃保温10分钟,然后以6.5℃每分钟的升温速率升至900℃,在900℃下保温4小时,保温结束后开始降温,降温方式为随炉冷却。
8. 按照权利要求2所述的制备工艺,其特征在于步骤5)所述退火过程为:以5℃每分钟的升温速率升至250℃,在250℃保温10分钟,然后以6.5℃每分钟的升温速率升至700℃,在700℃下保温4小时,保温结束后开始降温,降温方式为随炉冷却。
9. 权利要求1或2所述的任一制备工艺得到的太阳电池阵互连片用钼/铂/银层状金属基复合材料。
10. 按照权利要求9所述的太阳电池阵互连片用钼/铂/银层状金属基复合材料,其特征在于该复合材料与空间砷化镓太阳能电池片在进行单点电阻点焊时的焊接拉伸强度为324克力。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的