[发明专利]用于晶体硅扩散的匀流板及其晶体硅扩散工艺炉有效
| 申请号： | 201310369412.8 | 申请日： | 2013-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN103409803A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 程曦;匡成国;姜涛;杨东;姚骞;包崇彬 | 申请（专利权）人： | 天威新能源控股有限公司 |
| 主分类号： | C30B31/16 | 分类号： | C30B31/16;C30B31/10 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 谭新民 |
| 地址： | 610000 四川省成都市双流*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 晶体 扩散 匀流板 及其 工艺 | ||
1.用于晶体硅扩散的匀流板，其特征在于：包括匀流板本体（1），匀流板本体（1）按照区域划分为炉顶板区域和炉底板区域，炉顶板区域内开有若干匀流通孔（2），炉底板区域为密封板体。
2.根据权利要求1所述的用于晶体硅扩散的匀流板，其特征在于：炉顶板区域和炉底板区域的面积相等。
3.根据权利要求1所述的用于晶体硅扩散的匀流板，其特征在于：炉顶板区域和炉底板区域均为半圆形或矩形。
4.根据权利要求1所述的用于晶体硅扩散的匀流板，其特征在于：炉顶板区域和炉底板区域以匀流板本体（1）的轴线对称设置。
5.根据权利要求1-4中任意一项所述的用于晶体硅扩散的匀流板，其特征在于：匀流通孔（2）的大小一致均匀的分布在炉顶板区域内。
6.根据权利要求1-4中任意一项所述的用于晶体硅扩散的匀流板，其特征在于：匀流通孔（2）的大小从炉顶板区域指向炉底板区域方向由大变小、且同一高度的匀流通孔（2）大小一致的均匀分布在炉顶板区域内。
7.晶体硅扩散工艺炉，其特征在于：包括工艺炉炉体（3）和上述匀流板本体（1），匀流板本体（1）横档在工艺炉炉体（3）内，且匀流板本体（1）的边缘与工艺炉炉体（3）内壁密封连接，且炉顶板区域位于工艺炉炉体（3）上部区域，炉底板区域位于工艺炉炉体（3）下部区域，工艺炉炉体（3）一端设置有进气管（6），工艺炉炉体（3）内设置有硅片放置区域，匀流板本体（1）位于进气管（6）与有硅片放置区域之间。
8.根据权利要求7所述的晶体硅扩散工艺炉，其特征在于：进气管（6）的轴线与匀流板本体（1）表面垂直。
9.根据权利要求7所述的晶体硅扩散工艺炉，其特征在于：工艺炉炉体（3）内还设置有尾气管（7），尾气管（7）的进气端位于硅片放置区域远离匀流板本体（1）的一侧，且尾气管（7）沿着工艺炉炉体（3）底部内壁敷设。
10.根据权利要求9所述的晶体硅扩散工艺炉，其特征在于：尾气管（7）的进气端位于工艺炉炉体（3）内距离匀流通孔（2）最远的点上。
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