[发明专利]一种生长Ce：YAG单晶荧光材料的方法无效
| 申请号： | 201310369824.1 | 申请日： | 2013-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN103469306A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 曹顿华;董永军;梁月山 | 申请（专利权）人： | 昆山开威电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/28 | 分类号： | C30B29/28;C30B11/00;C30B11/14 |
| 代理公司： | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人： | 高文迪 |
| 地址： | 215345 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 生长 ce yag 荧光 材料 方法 | ||
1.一种生长Ce:YAG单晶荧光材料的方法，包括以下步骤：
1）将原料按照下列化学式中的摩尔比进行称量配比，混合均匀，压制成饼，高温烧结；
化学式：(Y1-x-mAxCem)3(Al1-yBy)5O12
0≤x≤1，0≤y≤1，0≤m≤0.05
其中A为Lu、Tb、Pr、La、Gd、Sm中的一种；B为Ga、Ti、Mn、Cr、Zr中的一种；
2）将籽晶放入坩埚底部，将坩埚放入下降炉中，放入料块，升温至1900～2000℃，恒温3～5小时；
3）下降坩埚，下降速率为0.1～5mm/h，坩埚下降方向固液界面的温度梯度为10～50℃/cm；
4）晶体生长完毕后，控制炉温下降，初始降温速度在0.1～3℃/h范围，由慢至快加速降温，终了降温速度为30～50℃/h，整个降温过程为50～180h；
5）使炉体自然冷却至室温，取出坩埚，将晶体从坩埚中剥离。
2.如权利要求1所述的生长Ce:YAG单晶荧光材料的方法，其特征在于：所述步骤1中，烧结成块的温度为1200℃，烧结时间为12h。
3.如权利要求1所述的生长Ce:YAG单晶荧光材料的方法，其特征在于：所述坩埚直径为30～120mm，高度为50～220mm。
4.如权利要求1所述的生长Ce:YAG单晶荧光材料的方法，其特征在于：所述坩埚为钨或者钨钼合金材料。
5.如权利要求1所述的生长Ce:YAG单晶荧光材料的方法，其特征在于：所述发热体为钨发热体。
6.如权利要求1所述的生长Ce:YAG单晶荧光材料的方法，其特征在于：所述籽晶采用<111>、<100>或<001>方向。
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