[发明专利]阻抗匹配调整方法和装置、延迟电容调整方法和装置有效

专利信息
申请号: 201310370077.3 申请日: 2013-08-22
公开(公告)号: CN104426497B 公开(公告)日: 2017-07-04
发明(设计)人: 苏敬尧;黄亮维;王士玮;何轩廷 申请(专利权)人: 瑞昱半导体股份有限公司
主分类号: H03H7/38 分类号: H03H7/38
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 代理人: 余刚,吴孟秋
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 阻抗匹配 调整 方法 装置 延迟 电容
【说明书】:

技术领域

发明所披露的实施例涉及通信装置的阻抗匹配调整及延迟电容调整,尤指一种利用一预定算法的阻抗匹配调整方法与相关装置以及延迟电容调整方法与相关装置。

背景技术

由于有线通信系统中所使用的缆线的制造过程、使用环境或是使用时间的不同,因此可能会使缆线的差动阻抗不再匹配于系统芯片设计者所原本预设的一阻抗值,而使得芯片内部的阻抗值与缆线的阻值不匹配,导致全双工模式下传送数据的部分弹回而影响到接收数据的正确性(即回声(echo)),进而造成芯片的接收效能下降。因此,传统芯片内部一般会具有阻抗值调整的功能,也就是内建多段不同的阻抗以供选择使用。在某些状况下(例如断线后的重新联机时),系统会先将所有内建的阻抗值全部测试过一遍,接着再从所产生的回声大小来挑选出最适合的阻抗值。

另外,传统芯片内部一般还具有回声消除器(echo canceller),其中,有一延迟电容,该延迟电容的大小亦会因环境而有所变化。因此,通常会内建多段不同的延迟电容以供选择使用。在某些状况下(例如断线后的重新联机时),系统会先将所有内建的延迟电容值全部测试过一遍,接着再依据所产生的回声大小来挑选出最适合的延迟电容值。

然而现有技术将所有内建的阻抗值以及延迟电容值扫过一遍的穷举作法耗费过多的时间,有可能无法满足某些需要快速连接的应用的要求,例如车用以太网络规范。因此,如何快速且正确的找出当下最适合的阻抗便成为本领域中一个亟需解决的问题。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种利用一预定算法的阻抗匹配调整方法与相关装置以及延迟电容调整方法与相关装置,以解决上述问题。

依据本发明一第一实施例,披露一种用于一通信装置的阻抗匹配调整方法,其中该通信装置具有多条阻抗路径可供选择。该阻抗匹配调整方法包含有:选取一初始阻抗路径;以及从该初始阻抗路径开始,利用一预定算法来仅检查该多条阻抗路径中的一部分阻抗路径以选择该通信装置的一最佳阻抗路径。

依据本发明一第二实施例,披露一种用于一通信装置的延迟电容调整方法,其中该通信装置具有多条延迟电容路径可供选择。该延迟电容调整方法包含有:选取一初始延迟电容路径;以及从该初始延迟电容路径开始,利用一预定算法来仅检查该多条延迟电容路径中的一部分延迟电容路径以选择该通信装置的一最佳延迟电容路径。

依据本发明一第三实施例,披露一种用于一通信装置的阻抗匹配调整装置,其中该通信装置具有多条阻抗路径可供选择。该阻抗调整装置包含有一初始选择单元以及一最佳阻抗路径产生单元。其中该初始选择单元用来选取一初始阻抗路径。该最佳阻抗路径产生单元用来从该初始阻抗路径开始,利用一预定算法来仅检查该多条阻抗路径中的一部分阻抗路径以选择该通信装置的一最佳阻抗路径。

依据本发明一第四实施例,披露一种用于一通信装置的延迟电容调整装置,其中,该通信装置具有多条延迟电容路径可供选择。该延迟电容调整装置包含有一初始选择单元以及一最佳延迟电容路径产生单元。其中该初始选择单元用来选取一初始延迟电容路径。该最佳延迟电容路径产生单元用来从该初始延迟电容路径开始,利用一预定算法来仅检查该多条延迟电容路径中的一部分延迟电容路径以选择该通信装置的一最佳延迟电容路径。

本发明所提出的利用一预定算法的阻抗匹配调整方法与相关装置以及延迟电容调整方法与相关装置可提供车用以太网络系统一个相较于传统的穷举搜寻方法更为快速且准确度可自行控制的一种调整方法,以降低通道所反射会来的回声,同时符合该车用以太网络系统对于联机时间的限制。

附图说明

图1为本发明用于一通信装置的阻抗匹配调整装置的示范性实施例的示意图。

图2为本发明用于一通信装置的阻抗匹配调整方法的示范性实施例的流程图。

图3为本发明的最佳阻抗路径判断方法的一状况类型的示意图。

图4为本发明的最佳阻抗路径判断方法的另一状况类型的示意图。

图5为本发明的最佳阻抗路径判断方法的又另一状况类型的示意图。

图6为本发明用于一通信装置的延迟电容调整装置的示范性实施例的示意图。

图7为本发明用于一通信装置的阻抗匹配调整方法的示范性实施例的流程图。

具体实施方式

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞昱半导体股份有限公司,未经瑞昱半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310370077.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top