[发明专利]液晶显示装置无效
| 申请号： | 201310370201.6 | 申请日： | 2013-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN103631062A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 松井庆枝;山本昌直;国松登;园田英博 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本显示器 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1335 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;王大方 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 液晶 显示装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种液晶显示装置，其特征在于，
在TFT基板侧形成有滤色器、对置电极、层间绝缘膜、像素电极、取向膜，隔着液晶层配置有对置基板，
在所述像素电极和所述上述层间绝缘膜之间形成有Si半导体层。
2.一种液晶显示装置，其特征在于，
在TFT基板侧形成有滤色器、对置电极、层间绝缘膜、像素电极、取向膜，隔着液晶层配置有对置基板，
在所述像素电极和所述取向膜之间形成有Si半导体层。
3.一种液晶显示装置，其特征在于，
在TFT基板侧形成有对置电极、层间绝缘膜、像素电极、取向膜，隔着液晶层配置有形成有滤色器的对置基板，
在所述像素电极和所述层间绝缘膜之间形成有Si半导体层。
4.一种液晶显示装置，其特征在于，
在TFT基板侧形成有对置电极、层间绝缘膜、像素电极、取向膜，隔着液晶层配置有形成有滤色器的对置基板，
在所述像素电极和所述取向膜之间形成有Si半导体层。
5.如权利要求1至4中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于，所述Si半导体层为a-Si。
6.如权利要求1至4中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于，所述Si半导体层的厚度为5nm～100nm。
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