[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201310370385.6 申请日: 2013-08-22
公开(公告)号: CN104425726A 公开(公告)日: 2015-03-18
发明(设计)人: 周明杰;黄辉;钟铁涛;王平 申请(专利权)人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 生启;何平
地址: 518100 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

有机电致发光器件的发光原理是基于在外加电场的作用下,电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO),而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子,激子在电场作用下迁移,将能量传递给发光材料,并激发电子从基态跃迁到激发态,激发态能量通过辐射失活,产生光子,释放光能。传统的有机电致发光器件出光性能较低。

发明内容

基于此,有必要提供一种出光效率较高的有机电致发光器件及其制备方法。

一种有机电致发光器件,包括依次层叠的玻璃基底、阳极、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极,所述散射层包括形成于所述阳极表面的镁的化合物掺杂层及形成于所述镁的化合物掺杂层表面的二氧化钛掺杂层;所述镁的化合物掺杂层的材料包括镁的化合物及掺杂在所述镁的化合物中的锂化合物,所述镁的化合物选自氟化镁、氧化镁及硫化镁中的至少一种,所述锂化合物选自氟化锂、碳酸锂、溴化锂及氧化锂中的至少一种;所述二氧化钛掺杂层的材料包括二氧化钛及铁的化合物,所述铁的化合物选自氯化铁、溴化铁及硫化铁中的至少一种。

在其中一个实施例中,所述锂化合物与所述镁的化合物的质量比为1:5~1:10。

在其中一个实施例中,所述二氧化钛与所述铁的化合物的质量比为2:1~4:1。

在其中一个实施例中,所述镁的化合物掺杂层的厚度为20nm~100nm,所述二氧化钛掺杂层的厚度为200nm~400nm。

在其中一个实施例中,所述阳极的材料为铟锡氧化物、铝锌氧化物或铟锌氧化物。

一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下步骤:

在玻璃基底表面制备阳极;

在所述阳极表面制备散射层,所述散射层包括形成于所述阳极表面的镁的化合物掺杂层及形成于所述镁的化合物掺杂层表面的二氧化钛掺杂层,所述镁的化合物掺杂层的材料包括镁的化合物及掺杂在所述镁的化合物中的锂化合物,所述镁的化合物选自氟化镁、氧化镁及硫化镁中的至少一种,所述锂化合物选自氟化锂、碳酸锂、溴化锂及氧化锂中的至少一种,所述二氧化钛掺杂层的材料包括二氧化钛及铁的化合物,所述铁的化合物选自氯化铁、溴化铁及硫化铁中的至少一种;及

在所述散射层的表面依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极。

在其中一个实施例中,所述锂化合物与所述镁的化合物的质量比为1:5~1:10。

在其中一个实施例中,所述二氧化钛与所述铁的化合物的质量比为2:1~4:1。

在其中一个实施例中,所述镁的化合物掺杂层的厚度为20nm~100nm,所述二氧化钛掺杂层的厚度为200nm~400nm。

在其中一个实施例中,所述玻璃基底在制备阳极前用蒸馏水、乙醇冲洗干净后,放在异丙醇中浸泡12小时~24小时。

上述有机电致发光器件及其制备方法,在阳极的表面制备散射层,散射层包括镁的化合物掺杂层及形成于所述镁的化合物掺杂层表面的二氧化钛掺杂层,镁的化合物掺杂层由镁的化合物与锂化合物掺杂组成,镁的化合物功函数较低,可提高空穴的注入能力,且化合物比单质稳定,不易与空气中的水氧结合,锂化合物功函数较高,可阻挡电子的穿越,有效避免了电子到达阳极与空穴复合产生漏电流,然后制备二氧化钛掺杂层,由二氧化钛与铁的化合物组成,二氧化钛比表面积大,孔隙率高,可使光发生散射,使向两侧发射的光可以回到中间,同时能隙较窄,适合空穴的传输,提高空穴传输速率,铁的化合物载流子浓度较高,可提高导电性,从而有机电致发光器件的出光效率较高。

附图说明

图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图;

图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法的流程图;

图3为实施例1制备的有机电致发光器件的亮度与流明效率关系图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法进一步阐明。

请参阅图1,一实施方式的有机电致发光器件100包括依次层叠的玻璃基底10、阳极20、散射层30、空穴注入层40、空穴传输层50、发光层60、电子传输层70、电子注入层80及阴极90。

玻璃基底10为折射率为1.8~2.2的玻璃,在400nm透过率高于90%。玻璃基底10优选为牌号为N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41A或N-LASF44的玻璃。

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