[发明专利]一种蚀刻机的聚焦环和屏蔽环的用后处理方法有效
申请号: | 201310370733.X | 申请日: | 2013-08-22 |
公开(公告)号: | CN103426802A | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | 杨苏圣 | 申请(专利权)人: | 上海科秉电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海兆丰知识产权代理事务所(有限合伙) 31241 | 代理人: | 黄美英 |
地址: | 201709 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 蚀刻 聚焦 屏蔽 处理 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种零部件的用后处理方法,尤其涉及一种蚀刻机的聚焦环和屏蔽环的用后处理方法。
背景技术
蚀刻机是制造集成电路的重要设备,其中聚焦环和屏蔽环是蚀刻机中的核心零件,这两个零部件的使用状况与集成电路的生产的稳定性与品质有着密不可分的关系。但是两个零部件会因使用时间的增加,逐渐地影响蚀刻机的品质与稳定度。聚焦环和屏蔽环的制作材料为石英或硅,它们在新品时的表面粗糙度值均为4~6μm。当这两个零部件经过数次使用后,表面结构松散,粗糙度值会逐渐增大。而聚焦环和屏蔽环的粗糙度值过大且不均匀是造成生产的品质不佳、设备稳定度降低的主因。在集成电路的生产过程中,会因为生产设备中的零部件的品质差异,对产品的质量稳定度有着不同程度的影响,当生产设备不稳定时,需要投入大量的人力、物力、时间去解决。对于分秒必争的集成电路行业,客户的选择都是以报废旧品、更换新品的方式为最终的选择,这在成本的支出上是一个沉重的负担。为减少客户更换新品的支出,亟待研发一种能够延长聚焦环和屏蔽环的使用寿命的方法。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺陷,提供一种蚀刻机的聚焦环和屏蔽环的用后处理方法,它可以有效延长聚焦环和屏蔽环的使用寿命,大幅降低客户对于新品采购的成本,达成实质上有效的节约。
本发明的目的是这样实现的:一种蚀刻机的聚焦环和屏蔽环的用后处理方法,包括以下步骤:
步骤A.将零部件完全浸没在有机溶液中,利用有机溶液去除零部件的表面上的杂质;
步骤B.采用喷砂机以玻璃砂为磨料对零部件的表面进行喷射,对零部件的表面进行粗糙度处理,使零部件的表面粗糙度为4~6μm;
步骤C.将零部件放入酸性容液中,时间为30~50分钟,利用酸液去除零部件的表面上多余的残砂,同时利用酸液蚀刻零部件的表面,达到均匀零部件的表面粗糙度。
上述的蚀刻机的聚焦环和屏蔽环的用后处理方法,其中,进行步骤A时,所述有机溶液为浓度为99%的异丙醇溶液。
上述的蚀刻机的聚焦环和屏蔽环的用后处理方法,其中,进行步骤B时,所述喷砂机的喷嘴与零部件的表面呈角度为60°~90°,所述喷砂机的压力控制在2~5kg/cm2。
上述的蚀刻机的聚焦环和屏蔽环的用后处理方法,其中,进行步骤C时,所述酸性容液为氟酸溶液,该氟酸溶液中氟酸与水的配比为1︰7。
本发明的蚀刻机的聚焦环和屏蔽环的用后处理方法的技术方案,采用清洗加重制表面粗糙度的技术手段,使聚焦环和屏蔽环的品质得以控制并持续保持,可以有效延长聚焦环和屏蔽环的使用寿命,大幅降低客户端对于新品采购的成本,达成实质上有效的节约。
附图说明
图1为本发明的蚀刻机的聚焦环和屏蔽环的用后处理方法中进行B步骤时的状态图。
具体实施方式
为了能更好地对本发明的技术方案进行理解,下面通过具体的实施例进行详细地说明。
本发明的一种蚀刻机的聚焦环和屏蔽环的用后处理方法,包括以下步骤:
步骤A.将零部件完全浸没在有机溶液中,有机溶液为浓度为99%的异丙醇溶液,利用有机溶液去除零部件的表面上的杂质,对零部件进行有效的清洁处理;
步骤B.采用喷砂机以玻璃砂为磨料对零部件的表面进行喷射,喷砂机的喷嘴20与零部件10的表面呈角度为60°~90°(见图1),喷砂机的压力控制在2~5kg/cm2,利用磨料对零部件的表面的冲击和切削作用,对零部件的表面进行粗糙度处理,使零部件的表面粗糙度为4~6μm;
步骤C.将零部件放入酸性容液中,时间为30~50分钟,酸性容液为氟酸溶液,该氟酸溶液中氟酸与水的配比为1︰7,利用酸液去除零部件的表面上多余的残砂,同时利用酸液蚀刻零部件的表面,达到均匀零部件的表面粗糙度。
实施例1
步骤A.将零部件完全浸没在有机溶液中,有机溶液为浓度为99%的异丙醇溶液,利用有机溶液去除零部件的表面上的杂质,对零部件进行有效的清洁处理;
步骤B.采用喷砂机以玻璃砂为磨料对零部件的表面进行喷射,喷嘴与零部件的表面呈角度为65°,喷砂压力控制在3kg/cm2,利用磨料对零部件的表面的冲击和切削作用,对零部件的表面进行粗糙度处理,使零部件的表面粗糙度为5.2μm;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造