[发明专利]包括切割载体的制造组件的方法

权利要求书

1.一种制造组件的方法，所述方法包括：

将载体切块为多个组件，而载体部署在支撑载体上；

在切块之后，将连接层放置在载体上；以及

从支撑载体去除组件。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

将连接层放置在载体上包括将附接到转移箔材的组件附接胶放置在载体上。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，

组件附接胶包括粘合导电胶。

4.根据权利要求3所述的方法，进一步包括对粘合导电胶进行预先固化。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，

组件附接胶包括焊接胶。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，

组件附接胶包括导电纳米胶。

7.根据权利要求6所述的方法，进一步包括对导电纳米胶进行预先固化。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，

连接层是焊接层。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，

放置连接层包括：在载体上形成光刻胶、使光刻胶图案化使得用光刻胶覆盖载体中的切割线、形成连接层、以及去除图案化的光刻胶。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，

将连接层放置在载体上包括在载体上溅射焊接扩散层，所述焊接扩散层包括金锡（AuSn）、铜锡（CuSn）或银锡（AgSn）。

11.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

放置晶圆，使得晶圆的正面在切块箔材上；

将晶圆分离为芯片，而芯片以间隔分离；

在分离之后，将焊接胶、粘合导电胶或纳米胶放置在晶圆上；

拉伸切块箔材；以及

从切块箔材拾取芯片。

12.根据权利要求11所述的方法，进一步包括对焊接胶、粘合导电胶或纳米胶进行预先固化。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，

对焊接胶、粘合导电胶或纳米胶进行预先固化包括用约80℃至约150℃之间的温度对焊接胶、粘合导电胶或纳米胶进行预先固化。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，

将焊接胶、粘合导电胶或纳米胶放置在晶圆上包括：使用转移箔材以便将焊接胶、粘合胶或纳米胶放置在晶圆上、以及去除转移箔材。

15.一种制造芯片的方法，所述方法包括：

将晶圆放置在切块箔材上，其中，晶圆包括正面和背面，并且其中放置晶圆，使得正面在切块箔材上；

将晶圆切块，从而形成间隙和芯片；

在晶圆上形成光刻胶；

使光刻胶图案化，使得光刻胶保留在间隙上；

在晶圆上形成焊接层；

去除剩余的光刻胶；以及

从切块箔材拾取芯片。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，

形成焊接层包括溅射焊接扩散层，所述焊接扩散层包括金锡（AuSn）、铜锡（CuSn）或银锡（AgSn）。

17.根据权利要求15所述的方法，其中，

形成焊接层包括电镀焊接扩散层，所述焊接扩散层包括金锡（AuSn）、铜锡（CuSn）或银锡（AgSn）。

18.一种制造封装组件的方法，所述方法包括：

将晶圆放置在切块箔材上；

将晶圆分离为组件，所述组件以间隔分离；

在分离之后，将导电连接层放置在晶圆上；

从切块箔材拾取组件；

将组件放置在组件载体上；

将组件的第一接触焊盘接合到第一组件载体接触焊盘；以及

灌封组件。

19.根据权利要求18所述的方法，其中，

将导电连接层放置在晶圆上包括：将焊接胶放置在晶圆上、以及对焊接胶进行预先固化。

20.根据权利要求18所述的方法，其中，

将导电连接层放置在晶圆上包括：将粘合导电胶放置在晶圆上、以及对导电粘合胶进行预先固化。