[发明专利]影像传感器的晶圆级封装结构及封装方法

权利要求书

1.一种影像传感器的晶圆级封装结构，其特征在于，包括：

待封装晶圆，所述待封装晶圆包括若干芯片区域和位于芯片区域之间的切割道区域；

位于待封装晶圆第一表面且位于芯片区域内的焊盘和影像传感区；

位于所述焊盘表面和切割道区域表面的第一围堤结构；

与所述待封装晶圆第一表面相对设置的封装盖，位于所述封装盖表面的第二围堤结构，所述第二围堤结构的位置对应于切割道区域的位置，所述封装盖与待封装晶圆通过第二围堤结构和第一围堤结构固定接合。

2.如权利要求1所述的影像传感器的晶圆级封装结构，其特征在于，所述第二围堤结构的顶部表面与第一围堤结构的顶部表面直接键合或利用粘胶相粘结。

3.如权利要求1所述的影像传感器的晶圆级封装结构，其特征在于，所述第二围堤结构的宽度小于切割道区域的宽度。

4.如权利要求1所述的影像传感器的晶圆级封装结构，其特征在于，所述第二围堤结构的宽度小于或等于切割晶圆形成的切口的宽度。

5.如权利要求4所述的影像传感器的晶圆级封装结构，其特征在于，所述第二围堤结构的宽度大于50微米。

6.如权利要求1所述的影像传感器的晶圆级封装结构，其特征在于，所述第一围堤结构的宽度大于切割道区域的宽度。

7.如权利要求1所述的影像传感器的晶圆级封装结构，其特征在于，所述第二围堤结构的中心线与切割道区域的中心线重叠。

8.如权利要求1所述的影像传感器的晶圆级封装结构，其特征在于，所述第一围堤结构完全覆盖焊盘表面且间隔设置。

9.如权利要求1所述的影像传感器的晶圆级封装结构，其特征在于，所述第一围堤结构完全覆盖焊盘表面、切割道区域表面、焊盘与切割道区域之间的芯片区域表面。

10.如权利要求1所述的影像传感器的晶圆级封装结构，其特征在于，所述第一围堤结构、第二围堤结构的材料为光刻胶或树脂。

11.如权利要求1所述的影像传感器的晶圆级封装结构，其特征在于，所述第二围堤结构与封装盖为一体结构。

12.如权利要求1所述的影像传感器的晶圆级封装结构，其特征在于，所述封装盖的材料为玻璃、有机玻璃或硅基底。

13.一种封装方法，其特征在于，包括：

提供如权利要求1所述的影像传感器的晶圆级封装结构；

对所述晶圆级封装结构的待封装晶圆的第二表面进行减薄并进行刻蚀，直到暴露出待封装晶圆第一表面的焊盘，形成贯穿所述待封装晶圆的厚度的通孔；

在所述待封装晶圆的第二表面和通孔的侧壁表面形成绝缘层，且所述绝缘层暴露出通孔底部的焊盘；

在所述绝缘层表面和焊盘表面形成底部再布线层，在所述底部再布线层表面形成焊球；

沿着切割道区域对待封装晶圆进行切片，在切割待封装晶圆的同时切割第二围堤结构和对应位置的封装盖，使得当待封装晶圆被切割成晶粒时，封装盖与晶粒分离。

14.如权利要求13所述的封装方法，其特征在于，形成所述影像传感器的晶圆级封装结构的工艺包括：

提供待封装晶圆，所述待封装晶圆包括若干芯片区域和位于芯片区域之间的切割道区域，在待封装晶圆第一表面且位于芯片区域内形成有焊盘和影像传感区，在所述焊盘表面和切割道区域表面形成有第一围堤结构；

提供封装盖，在所述封装盖表面形成有第二围堤结构，所述第二围堤结构的位置对应于切割道区域的位置；

通过直接键合或利用粘胶相粘结的工艺将第一围堤结构的顶部表面和第二围堤结构的顶部表面固定接合，使得所述封装盖与待封装晶圆固定接合。

15.如权利要求14所述的封装方法，其特征在于，所述第一围堤结构、第二围堤结构的材料为光刻胶或树脂。

16.如权利要求14所述的封装方法，其特征在于，所述封装盖的材料为玻璃、有机玻璃或硅基底。

17.如权利要求14所述的封装方法，其特征在于，所述封装盖、第二围堤结构的材料为玻璃、有机玻璃或硅基底，且为一体结构，通过对整块玻璃、有机玻璃或硅基底材料进行微细加工形成所述封装盖和第二围堤结构。

18.如权利要求13所述的封装方法，其特征在于，对待封装晶圆进行切片的工艺为切片刀切割或激光切割。