[发明专利]阵列基板及其制作方法和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制作方法和显示装置。

背景技术

随着科技的不断进步，用户对液晶显示设备的需求日益增加，TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜场效应晶体管液晶显示器)也成为了手机、平板电脑等产品中使用的主流显示器。

薄膜晶体管（TFT）的性能决定了液晶显示器的显示品质，现有的TFT阵列基板一般依次包括有衬底基板、公共电极、栅电极、栅绝缘层、半导体层、欧姆接触层、源电极和漏电极、钝化层和像素电极，其中栅电极、源电极和漏电极一般采用导电性能比较好的金属制备。为了提高金属电极的导电性能，一般采用Cu或Cu合金来制备金属电极，但是Cu是一种容易被氧化的金属，在采用Cu或Cu合金制备金属电极之后，金属电极的表面会出现一层Cu氧化物，造成金属电极阻抗增加，导电性能下降；并且还会使得金属电极表面比较粗糙，使得覆盖在金属电极上的绝缘层脱落，出现短路现象，将会严重影响TFT的性能，导致显示器不能正常显示。采用其他金属如银、铝或合金制备金属电极，也存在金属电极容易被氧化，影响TFT性能的问题。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制作方法和显示装置，能够去除金属层表面的金属氧化物，提高TFT的性能。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种阵列基板的制作方法，包括：在基板上形成金属层，去除所述金属层表面的金属氧化物。

进一步地，上述方案中，所述去除所述金属层表面的金属氧化物包括：

采用有机酸或乙醇胺溶液对形成有所述金属层的基板进行清洗，以去除所述金属层表面的金属氧化物。

进一步地，上述方案中，所述采用有机酸或乙醇胺溶液对形成有所述金属层的基板进行清洗包括：

在25～40摄氏度的环境下，采用有机酸或乙醇胺溶液对形成有所述金属层的基板进行30秒以上的清洗。

进一步地，上述方案中，所述金属层为对金属薄膜进行构图工艺后形成的金属图案。

进一步地，上述方案中，所述金属图案包括栅电极和/或源漏电极。

进一步地，上述方案中，所述方法包括：

形成金属薄膜；

通过一次构图工艺形成包括栅电极的所述金属图案；

通过清洗工艺去除包括栅电极的所述金属图案的表面的金属氧化物。

进一步地，上述方案中，所述方法包括：

形成金属薄膜；

通过一次构图工艺形成包括源漏电极的所述金属图案；

通过清洗工艺去除包括源漏电极的所述金属图案的表面的金属氧化物。

进一步地，上述方案中，所述方法包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成第一透明导电层和第一金属薄膜；

通过一次构图工艺形成包括公共电极的第一透明导电层图案、包括栅电极的第一组金属图案，

通过清洗工艺去除包括栅电极的第一组金属图案的表面的金属氧化物；

形成栅绝缘层、半导体层、欧姆接触层和第二金属薄膜，

通过一次构图工艺形成半导体层图案、欧姆接触层图案、包括源漏电极的第二组金属图案，

通过清洗工艺去除包括源漏电极的第二组金属图案的表面的金属氧化物；

形成钝化层，通过一次构图工艺形成包括有过孔的钝化层图案；

形成第二透明导电层，通过一次构图工艺形成包括像素电极的第二透明导电层图案，所述像素电极通过所述过孔与所述漏电极连接。

进一步地，上述方案中，所述金属层采用Cu、Pt、Ru、Au、Ag、Mo、Cr、Al、Ta和W的一种或多种制成。

本发明实施例还提供了一种阵列基板，所述阵列基板采用如权利要求1-9任一项所述的制作方法制作，所述阵列基板的金属层的表面未覆盖有金属氧化物。

进一步地，上述方案中，所述阵列基板的金属层包括阵列基板的薄膜晶体管的栅极层和/或源漏极层。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。

本发明的实施例具有以下有益效果：

上述方案中，在形成金属层之后，去除金属层表面的金属氧化物，这样就不会让金属氧化物影响金属层的导电性能，并且能够使得金属层的表面比较光滑，覆盖在金属层上的绝缘层不会脱落，保证TFT的性能以及显示器的正常显示。

附图说明

图1为现有技术的阵列基板的结构示意图；