[发明专利]反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法

权利要求书

1.一种反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管制造方法包括如下步骤：

制备N型衬底；

在所述N型衬底正面生长栅氧化层；

在所述栅氧化层上淀积多晶硅栅电极；

通过光刻、刻蚀和离子注入工艺在N型衬底上形成P阱；

通过光刻和离子注入工艺在P阱内形成N+区和正面P+区；

在所述N型衬底正面淀积介质层；

在所述介质层上淀积保护层；

通过背面减薄工艺减薄所述N型衬底；

在所述N型衬底的背面注入P型杂质形成背面P+区域；

采用光刻、刻蚀工艺在所述N型衬底的背面形成沟槽；

在所述N型衬底的背面淀积多晶硅填充所述沟槽，并蚀刻掉沟槽之外区域的多晶硅；

去除N型衬底正面的保护层；

选择性刻蚀介质层形成短接N+区和正面P+区的接触孔，并形成正面金属层；

在所述N型衬底正面淀积钝化层；

在所述N型衬底背面进行背面金属化工艺，形成背面金属层；

其中，所述采用光刻、刻蚀工艺在所述N型衬底的背面形成沟槽的步骤和所述在所述N型衬底的背面淀积多晶硅填充所述沟槽，并蚀刻掉沟槽之外区域的多晶硅的步骤，在所述介质层上淀积保护层的步骤之后进行制作，且在所述选择性刻蚀介质层形成短接N+区和正面P+区的接触孔，并形成正面金属层的步骤之前进行制作。

2.根据权利要求1所述的反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法，其特征在于，所述在所述N型衬底背面进行背面金属化工艺，形成背面金属层的步骤之后还包括通过局部辐照技术控制N型衬底中局部区域的载流子寿命。

3.根据权利要求2所述的反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法，其特征在于，所述局部辐照技术采用电子或者质子对所述N型衬底进行辐照。

4.根据权利要求1所述的反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法，其特征在于，所述N型衬底的背面形成的沟槽的形状为长方形。

5.根据权利要求4所述的反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法，其特征在于，所述N型衬底的背面形成的沟槽的深度为1～20μm，宽度为1～30μm，相邻两个沟槽的间距为50～300μm。

6.根据权利要求1所述的反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法，其特征在于，所述N型衬底的背面形成的沟槽中淀积的多晶硅为N型多晶硅。

7.根据权利要求6所述的反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法，其特征在于，所述N型衬底的背面形成的沟槽中淀积的多晶硅的掺杂浓度为1E17～1E21cm^-3。

8.根据权利要求1至7中任一权利要求所述的反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法，其特征在于，所述背面金属层自N型衬底向外依次为铝、钛、镍、银。

9.根据权利要求1至7中任一权利要求所述的反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法，其特征在于，所述介质层的材质为二氧化硅和硼磷硅玻璃。

10.根据权利要求1至7中任一权利要求所述的反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法，其特征在于，所述保护层的材质为氮化硅。