[发明专利]在VHF频率调谐径向蚀刻的非均匀性的电子旋钮

权利要求书

1.一种用于处理晶片的方法，其包括：

提供具有电极的室，所述电极具有支撑表面和限定在其中的外边缘区域，所述室被定义用于所述晶片的等离子体处理；

施加射频（RF）功率至所述室的所述电极，所施加的所述RF功率通过导电性传送连接件和导电性返回连接件与所述电极连通，所述导电性传送连接件具有提供有效电气长度的尺寸，所述有效电气长度导致在工作频率下的阻抗变换；

为所述导电性传送连接件的第一端设置电容，所述电容是能够调节的以在所述导电性传送连接件的第二端导致相反的阻抗调节，所述第二端被耦合到环绕所述电极的电介质环绕结构，所述电介质环绕结构在所述电极的所述外边缘区域附近呈现所述相反的阻抗调节，以便使在所述第一端增加所述电容导致在所述第二端的阻抗的相应增加，在所述第二端的所述阻抗的所述增加增加所述电极的所述外边缘区域附近的电压分布，该电压分布朝着所述电极的所述支撑表面的中心减少。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步将电介质材料包括至由所述导电性传送连接件所定义的路径，以便在所述导电性传送连接件的尺寸大于所述有效电气长度时，将所述导电性传送连接件的尺寸缩小至所述有效电气长度，

其中包括至所述路径的所述电介质材料使得所述导电性传送连接件的在所述工作频率下的阻抗变换能最优化。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步将导电金属包括至由所述导电性传送连接件所定义的路径，以便在所述导电性传送连接件的尺寸小于所述有效电气长度时，将所述导电性传送连接件的尺寸增大至所述有效电气长度，

其中包括至所述路径的所述导电金属使得所述导电性传送连接件的在所述工作频率下的阻抗变换能最优化。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电性传送连接件的所述有效电气长度是60MHz的射频功率的波长的约1/4。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，设置在所述第一端的所述电容介于约50皮法（pF）和约500pF之间。

6.一种用于处理晶片的装置，其包括：

用于所述晶片的等离子体处理的室，所述室具有电极组件，所述电极组件包括支撑表面和环绕所述支撑表面的外边缘区域；

射频（RF）功率源，其用于提供RF功率到所述电极组件；

耦合在所述电极组件与所述RF功率源之间的RF功率连接结构，所述RF功率连接结构包括传送所述RF功率到所述衬底的导电性传送连接件和用于使所述RF功率从所述衬底返回的导电性返回连接件，所述RF功率连接结构具有在所述RF功率源的第一端和在所述电极组件的第二端之间延伸的长度，所述长度针对工作频率设置，以便所述长度使得能在所述第一端和所述第二端之间进行阻抗变换；以及

可变电容器，其耦合在所述RF功率连接结构的所述第一端，其中，在所述第一端的所述可变电容器中的变化导致在所述第一端的阻抗的变化和在所述第二端的阻抗的相反的变化。

7.根据权利要求6所述的装置，其中所述长度是所述工作频率的波长的约1/4。

8.根据权利要求7所述的装置，其中所述工作频率为60MHz。

9.根据权利要求6的装置，其中所述RF功率源包括，

RF产生器，其用于产生所述RF功率；和

匹配电路，其耦合到所述RF产生器，以使所述RF功率到所述衬底的传送最优化，所述RF功率源的所述匹配电路的输出被耦合到所述可变电容器。

10.根据权利要求6所述的装置，其还包括耦合到所述可变电容器的电容器设置控制模块以控制所述可变电容器的调谐。

11.根据权利要求10所述的装置，其中所述电容器设置控制模块被耦合到计算系统的电容设置用户接口以电子调节在所述第一端的电容的调谐。