[发明专利]一种用于电子器件封装的硅基转接板结构

权利要求书

1.一种用于电子器件封装的硅基转接板结构，包括基体（110），其特征在于：所述基体（110）内设置通孔（111）和与通孔（111）连接的基体底部开口（112），所述通孔（111）呈倒梯形，所述基体底部开口（112）的开口尺寸不小于通孔（111）底部的尺寸，所述通孔（111）的内壁沉积绝缘层Ⅰ（210），所述绝缘层Ⅰ（210）向上延伸并覆盖基体（110）的上表面，所述绝缘层Ⅰ（210）的表面设置金属层Ⅰ（310），所述金属层Ⅰ（310）于通孔（111）的底部相连接，所述金属层Ⅰ（310）于通孔（111）内形成盲孔Ⅰ（311）， 

所述基体（110）的上方设置若干层金属层III（330），不同的所述金属层III（330）之间设置不同的介电层（400）和介电层开口（401），所述介电层（400）填充盲孔Ⅰ（311），不同的所述金属层III（330）通过介电层开口（401）连接，最底层的所述金属层III（330）与金属层Ⅰ（310）连接，最顶层的所述金属层III（330）的周围覆盖保护层Ⅰ（510），所述保护层Ⅰ（510）于金属层III（330）的表面形成保护层Ⅰ开口（511），

所述基体底部开口（112）内沉积绝缘层II（220）并形成绝缘层II开口（221），所述绝缘层II（220）与绝缘层Ⅰ（210）于通孔（111）的底部相连接、且沿基体底部开口（112）向下延伸并覆盖基体（110）的下表面，所述绝缘层II（220）表面设置金属层II（320），所述金属层II（320）覆盖绝缘层II开口（221）、并与金属层Ⅰ（310）于通孔（111）的底部实现电气连通，所述金属层II（320）于基体底部开口（112）内形成盲孔II（321），所述金属层II（320）的表面设置保护层II（520），并形成保护层II开口（521），所述保护层II（520）填充盲孔II321。

2.根据权利要求1所述的一种用于电子器件封装的硅基转接板结构，其特征在于：最底层的所述金属层III（330）与金属层Ⅰ（310）一体成形。

3.根据权利要求1所述的一种用于电子器件封装的硅基转接板结构，其特征在于：所述通孔（111）的横截面呈圆形、方形或多边形。

4.根据权利要求1所述的一种用于电子器件封装的硅基转接板结构，其特征在于：所述基体底部开口（112）的横截面呈圆形、方形或多边形。

5.根据权利要求1或4所述的一种用于电子器件封装的硅基转接板结构，其特征在于：所述基体底部开口（112）的深度为L，L不大于30微米。

6.根据权利要求1所述的一种用于电子器件封装的硅基转接板结构，其特征在于：所述保护层II开口（521）内设置焊球或金属凸点结构。