[发明专利]半导体发光元件

权利要求书

1.一种半导体发光元件，其特征在于，具备：

具有第1导电类型的III-V族半导体的第1半导体层；

与该第1半导体层接触地设置在所述第1半导体层上，通过通电而发光的III-V族半导体的发光层；

与该发光层接触地设置在所述发光层上，具有与所述第1导电类型相反的第2导电类型的III-V族半导体的第2半导体层；

与该第2半导体层接触地设置在所述第2半导体层上，相对于所述发光层射出的光具有透过性的透光性电极膜；

与该透光性电极膜接触地设置在所述透光性电极膜上的一部分上，成为用于向所述发光层通电的一方端子的第1电极；和

与所述第1半导体层连接，并且与所述第1电极设在同一面侧，成为用于向所述发光层通电的另一方端子的第2电极，

所述第1电极和所述第2电极的任一方，在所述发光层的平面形状中位于中央部，

所述第1电极和所述第2电极的另一方具备：被从外部施加电压的连接部；和从该连接部延伸，以与该第1电极和该第2电极的任一方的外周的至少一部分相对的方式设置，并设定为该电压的延伸部，

所述透光性电极膜，从所述第1电极朝向所述第2电极被划分为连续的多个区域，该多个区域的各区域中的面方向的电阻，以从与该第1电极相邻的区域朝向与该第2电极相邻的区域依次变大的方式设定。

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述透光性电极膜的所述多个区域的各区域中的面方向的电阻，通过在该透光性电极膜上以密度和大小的至少任一方不同的方式设置多个孔来设定。

3.根据权利要求1或2所述的半导体发光元件，其特征在于，所述第1导电类型为n型，所述第2导电类型为p型。

4.根据权利要求1～3的任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，所述透光性电极膜的所述多个区域的各区域中的面方向的电阻，通过以所述各区域的厚度不同的方式设置该透光性电极膜的厚度来设定。

5.根据权利要求1～4的任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，所述透光性电极膜由氧化物导电材料构成。