[发明专利]功率用半导体元件

权利要求书

1.一种功率用半导体元件，具备：

第1电极，具有第一面和第二面；

第1导电型的第1半导体层，设在上述第1电极的上述第一面侧；

第1导电型的第2半导体层，设在上述第1半导体层之上，上述第2半导体层的杂质浓度高于上述第1半导体层的杂质浓度；

第2导电型的第3半导体层，设在上述第2半导体层之上；

第1导电型的第4半导体层，设在上述第3半导体层之上；

第2电极，与上述第4半导体层电连接；

第3电极，隔着绝缘膜设于上述第2半导体层及上述第3半导体层，上述第3电极具有位于上述第3半导体层的上端，沿上述第1半导体层与上述第2半导体层的层叠方向延伸；

第4电极，隔着绝缘膜设于上述第2半导体层及上述第3半导体层，上述第4电极具有位于上述第3半导体层的上端，沿上述层叠方向延伸，与上述第3电极并列；以及

第5电极，隔着绝缘膜设在上述第3电极与上述第4电极之间，上述第5电极具有位于上述第3半导体层的上端，沿上述层叠方向延伸，与上述第2电极电连接。

2.如权利要求1记载的功率用半导体元件，

上述第3电极的下端与上述第1半导体层之间的第1距离长于上述第3电极与上述第3半导体层之间的第2距离，

上述第4电极的下端与上述第1半导体层之间的第3距离长于上述第4电极与上述第3半导体层之间的第4距离。

3.如权利要求2记载的功率用半导体元件

上述第1距离与上述第3距离之差的绝对值小于等于5nm，

上述第2距离与上述第4距离之差的绝对值小于等于5nm。

4.如权利要求1记载的功率用半导体元件，

上述第3电极的下端位于上述第2半导体层之下，上述第4电极的下端位于上述第2半导体层之下。

5.如权利要求4记载的功率用半导体元件，

上述第5电极的下端位于上述第3电极的上述下端及上述第4电极的上述下端之下。

6.如权利要求1记载的功率用半导体元件，还具备：

第6电极，隔着绝缘膜设于上述第2半导体层及上述第3半导体层，上述第6电极具有位于上述第3半导体层的上端，沿上述层叠方向延伸；

第7电极，隔着绝缘膜设于上述第2半导体层及上述第3半导体层，上述第7电极具有位于上述第3半导体层的上端，沿上述层叠方向延伸，与上述第6电极并列；以及

第8电极，隔着绝缘膜设在上述第6电极与上述第7电极之间，上述第8电极具有位于上述第3半导体层的上端，沿上述层叠方向延伸。

7.如权利要求6记载的功率用半导体元件，

上述第6电极和上述第7电极与上述第3电极电连接，

上述第8电极与上述第2电极电连接。

8.如权利要求6记载的功率用半导体元件，

上述第6电极、上述第7电极和上述第8电极与上述第2电极电连接。

9.如权利要求8记载的功率用半导体元件，还具备：

元件区域，包含上述第1半导体层、上述第2半导体层、上述第3半导体层和上述第4半导体层；以及

终端区域，围绕以从上述第1半导体层朝向上述第4半导体层的层叠方向为轴的轴，将上述元件区域包围；

上述第6电极、上述第7电极和上述第8电极，在上述元件区域中与上述第2电极电连接。

10.如权利要求6记载的功率用半导体元件，

上述第6电极和上述第7电极与上述第2电极电连接，

上述第8电极与上述第3电极电连接。

11.如权利要求6记载的功率用半导体元件，

上述第6电极的下端位于上述第2半导体层之下，上述第7电极的下端位于上述第2半导体层之下。

12.如权利要求11记载的功率用半导体元件，

上述第8电极的下端位于上述第6电极的上述下端及上述第7电极的上述下端之下。

13.如权利要求6记载的功率用半导体元件，

上述第6电极的下端与上述第1半导体层之间的第5距离长于上述第6电极与上述第3半导体层之间的第6距离，

上述第7电极的下端与上述第1半导体层之间的第7距离长于上述第7电极与上述第3半导体层之间的第8距离。