[发明专利]静电吸盘在审
申请号: | 201310378847.9 | 申请日: | 2013-08-27 |
公开(公告)号: | CN103681432A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 穴田和辉;和田琢真 | 申请(专利权)人: | TOTO株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 周善来;李雪春 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 吸盘 | ||
1.一种静电吸盘,其特征为,
具备:陶瓷电介体基板,其为多结晶陶瓷烧结体,具有放置处理对象物的第1主面和所述第1主面相反侧的第2主面;
及电极层,内设于所述陶瓷电介体基板的所述第1主面与所述第2主面之间,一体烧结于所述陶瓷电介体基板,
所述陶瓷电介体基板具有:第1电介层,位于所述电极层与所述第1主面之间;及第2电介层,位于所述电极层与所述第2主面之间,
所述电极层具有:第1部分,具有导电性;及第2部分,将所述第1电介层与所述第2电介层结合起来,
所述第2部分所含有的结晶的平均粒径小于所述陶瓷电介体基板所含有的结晶的平均粒径。
2.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征为,所述第2部分具有在不平行于所述第1主面的方向上延伸的部分。
3.根据权利要求2所述的静电吸盘,其特征为,所述陶瓷电介体基板所含有的结晶粒子与所述第2部分所含有的结晶粒子通过固相烧结或液相烧结而相互结合。
4.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征为,所述陶瓷电介体基板所含有的结晶粒子彼此通过固相烧结或液相烧结而相互结合。
5.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征为,所述第1部分与所述第2部分直接结合。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的静电吸盘,其特征为,所述陶瓷电介体基板的纯度为99.9重量%以上。
7.根据权利要求3所述的静电吸盘,其特征为,所述第2部分的材料与所述陶瓷电介体基板为同种材料。
8.根据权利要求1至7中任意一项所述的静电吸盘,其特征为,所述第1电介层的厚度为100微米以上。
9.根据权利要求1至8中任意一项所述的静电吸盘,其特征为,所述电极层的厚度为15微米以下。
10.根据权利要求1至9中任意一项所述的静电吸盘,其特征为,所述第2部分所含有的结晶的平均粒径为所述电极层的厚度的1/2以下。
11.根据权利要求1至10中任意一项所述的静电吸盘,其特征为,所述陶瓷电介体基板所含有的结晶的材料为Al2O3。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造