[发明专利]在光刻装置中交换晶片的方法

权利要求书

1.在光刻装置中交换晶片（1）的方法，其中，所述光刻装置具有在真空下操作的条件，所述方法包括：

将所述晶片（1）放置在晶片工作台（8）上的步骤，

将所述晶片工作台（8）和所述晶片（1）插入所述光刻装置的后续步骤（IT），

处理所述晶片（1）的步骤（PW），

从所述光刻装置移除所述晶片工作台（8）和所述晶片（1）的步骤（RT），

将所述晶片（1）从所述晶片工作台（8）上分离的步骤（DW），以及

为了在所述光刻装置内交换所述晶片（1）的目的，将所述晶片工作台（8）与另一个晶片工作台进行交换的步骤，以及

处理所述光刻装置外侧的所述晶片工作台（8）的步骤，其中，在该处理中，所述晶片工作台（8）的温度是可调节的。

2.根据权利要求1所述的方法，在将所述晶片（1）从所述晶片工作台（8）上分离的所述步骤（DW）之后，或者在将所述晶片（1）放置在晶片工作台（8）上的所述步骤之前，进一步包括，清洁所述晶片工作台（8）的步骤。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述晶片工作台（8）适于无紧固地包含在所述光刻装置中。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述晶片（1）放置在晶片工作台（8）上的步骤包括将所述晶片（1）固定到所述晶片工作台（8）上。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，为了所述晶片（1）与所述晶片工作台（8）的相互固定的目的，在所述晶片（1）和所述晶片工作台（8）之间保持静止保持液体层（3）。

6.根据权利要求5所述的方法，包括通过打开管道密封将所述晶片（1）从所述晶片工作台（8）上分离的步骤（DW）。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，在将所述晶片（1）放置在晶片工作台（8）上的所述步骤之前，进一步包括，将液体施加到所述晶片工作台（8）上的步骤，其中，在将所述晶片（1）放置在所述晶片工作台（8）上时所述液体被作为所述静止保持液体层（3）包含。

8.根据权利要求5所述的方法，其中，所述静止保持液体层（3）的毛细条件通过将所述晶片（1）与所述晶片工作台（8）之间的公称相互距离保持在0.1μm至10μm之间来实现。

9.根据权利要求5或8所述的方法，其中，在所述晶片工作台内包括周围密封装置，用于防止所述液体蒸发。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述周围密封装置由所述晶片工作台（8）和所述晶片（1）之间的周围空气间隙（9B）构成。

11.根据权利要求5所述的方法，其中，所述晶片工作台（8）配备有节（7），所述节的高度限定所述静止保持液体层（3）的厚度。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述晶片工作台（8）配备有用于容纳液体的沟槽，所述沟槽具有基本上大于所述节（7）的高度的宽度，并位于所述晶片工作台（8）的晶片承载部分（2）的周围、位于由用于密封所述晶片（1）与所述晶片工作台（8）之间包含的液体的所述密封装置限定的周围内。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述晶片工作台（8）配备有释放开口。

14.根据权利要求5所述的方法，其中，所述静止液体层（3）由水构成。

15.根据权利要求1所述的方法，包括使用所述光刻装置将图像或图像图案投影到所述晶片上的步骤。