[发明专利]一种采用内氧化法制备氧化镁颗粒弥散强化铁粉的方法有效

专利信息
申请号: 201310379158.X 申请日: 2013-08-27
公开(公告)号: CN103436763A 公开(公告)日: 2013-12-11
发明(设计)人: 郭志猛;徐延龙;杨微微;罗骥;曹慧钦 申请(专利权)人: 北京科技大学
主分类号: C22C33/02 分类号: C22C33/02;B22F9/08
代理公司: 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 代理人: 张仲波
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 采用 氧化 法制 氧化镁 颗粒 弥散 强化 铁粉 方法
【权利要求书】:

1.一种采用内氧化法制备氧化镁颗粒弥散强化铁粉的方法,其特征在于通过熔炼、水雾化、颗粒的表面氧化处理、颗粒的内氧化处理、颗粒的还原处理工艺制备得到氧化镁颗粒弥散强化铁粉。

2.按照权利要求1所述采用内氧化法制备氧化镁颗粒弥散强化铁粉的方法,其特征在于铁块的熔炼是在空气气氛的感应熔炼炉中进行的,熔炼温度是1550~1650℃;再把熔炼后的铁水倒入盛放纯镁块的浇包中,使镁均匀分布在铁水中。

3.按照权利要求1所述采用内氧化法制备氧化镁颗粒弥散强化铁粉的方法,其特征在于水雾化是在8~16Mpa压力下、利用封闭式V型喷嘴进行水雾化制粉。

4.按照权利要求1所述采用内氧化法制备氧化镁颗粒弥散强化铁粉的方法,其特征在于颗粒的表面氧化处理是在300~500℃、空气中保温1~3h进行的。

5.按照权利要求1所述采用内氧化法制备氧化镁颗粒弥散强化铁粉的方法,其特征在于颗粒的内氧化处理是在N2气氛炉或真空炉中、850~1100℃条件下保温2~5h进行的。

6.按照权利要求1所述采用内氧化法制备氧化镁颗粒弥散强化铁粉的方法,其特征在于颗粒的还原处理是在H2气氛炉中、700~1000℃条件下保温2~4h进行的。

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