[发明专利]一种采用内氧化法制备氧化镁颗粒弥散强化铁粉的方法有效
| 申请号： | 201310379158.X | 申请日： | 2013-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN103436763A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 郭志猛;徐延龙;杨微微;罗骥;曹慧钦 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C22C33/02 | 分类号： | C22C33/02;B22F9/08 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 采用 氧化 法制 氧化镁 颗粒 弥散 强化 铁粉 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种采用内氧化法制备氧化镁颗粒弥散强化铁粉的方法，其特征在于通过熔炼、水雾化、颗粒的表面氧化处理、颗粒的内氧化处理、颗粒的还原处理工艺制备得到氧化镁颗粒弥散强化铁粉。
2.按照权利要求1所述采用内氧化法制备氧化镁颗粒弥散强化铁粉的方法，其特征在于铁块的熔炼是在空气气氛的感应熔炼炉中进行的，熔炼温度是1550～1650℃；再把熔炼后的铁水倒入盛放纯镁块的浇包中，使镁均匀分布在铁水中。
3.按照权利要求1所述采用内氧化法制备氧化镁颗粒弥散强化铁粉的方法，其特征在于水雾化是在8～16Mpa压力下、利用封闭式V型喷嘴进行水雾化制粉。
4.按照权利要求1所述采用内氧化法制备氧化镁颗粒弥散强化铁粉的方法，其特征在于颗粒的表面氧化处理是在300～500℃、空气中保温1～3h进行的。
5.按照权利要求1所述采用内氧化法制备氧化镁颗粒弥散强化铁粉的方法，其特征在于颗粒的内氧化处理是在N2气氛炉或真空炉中、850～1100℃条件下保温2～5h进行的。
6.按照权利要求1所述采用内氧化法制备氧化镁颗粒弥散强化铁粉的方法，其特征在于颗粒的还原处理是在H2气氛炉中、700～1000℃条件下保温2～4h进行的。
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