[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括衬底基板、栅线、数据线、阵列排布在所述衬底基板上的薄膜晶体管、像素电极和钝化层，所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极，其特征在于，

所述像素电极和所述有源层、所述漏极同层设置且一体成型。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管，所述阵列基板包括位于所述衬底基板上的所述栅线和所述栅极，位于所述栅线和所述栅极之上的第一绝缘层，位于所述第一绝缘层之上的所述有源层、所述漏极和所述像素电极，位于所述有源层、所述漏极和所述像素电极之上的所述数据线和所述源极，以及位于所述数据线和所述源极之上的所述钝化层，其中，所述薄膜晶体管的源极连接所述有源层。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管，所述阵列基板包括位于所述衬底基板上的所述有源层、所述漏极和所述像素电极，位于所述有源层、所述漏极和所述像素电极之上的第一绝缘层，位于所述第一绝缘层之上的所述栅线和栅极，位于所述栅线和所述栅极之上的第二绝缘层，位于所述第二绝缘层之上的所述数据线和所述源极，以及位于所述数据线和所述源极之上的所述钝化层，其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层设置有对应所述有源层的过孔，所述薄膜晶体管的源极通过所述过孔连接所述有源层。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，

所述钝化层还包括对应所述像素电极的开口。

5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述钝化层还包括对应所述像素电极的开口。

6.根据权利要求2或3所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

位于所述钝化层之上的公共电极。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，

所述公共电极上有狭缝。

8.根据权利要求1-3任一项所述的阵列基板，其特征在于，

所述有源层、所述漏极和所述像素电极的材质为金属氧化物半导体材料；所述有源层、所述漏极和所述像素电极的厚度为

9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的阵列基板。

10.一种阵列基板的制作方法，该阵列基板包括衬底基板、栅线、数据线、阵列排布在所述衬底基板上的薄膜晶体管、像素电极和钝化层，所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极，其特征在于，该制作方法包括：

形成包括所述有源层和所述漏极以及所述像素电极的图形；所述像素电极和所述有源层、所述漏极同层设置且一体成型。

11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管，该制作方法还包括：

在所述衬底基板上，形成包括所述栅线和栅极的图形；

在所述栅线和所述栅极的图形上，形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成所述有源层和所述漏极以及所述像素电极的图形；

在所述有源层和所述漏极以及所述像素电极的图形上，形成包括所述数据线和源极的图形，所述源极连接所述有源层；

在所述数据线和所述源极的图形上，形成所述钝化层。

12.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管，该制作方法还包括：

在衬底基板上形成所述有源层和所述漏极以及所述像素电极的图形；

在所述有源层和所述漏极以及所述像素电极的图形上，形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上，形成包括所述栅线和栅极的图形；

在所述栅线和所述栅极的图形上，形成第二绝缘层，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层设置有对应所述有源层的过孔；

在所述第二绝缘层上，形成包括所述数据线和所述源极的图形，所述源极通过所述过孔连接所述有源层；

在所述数据线和所述源极的图形上，形成所述钝化层。

13.根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于，还包括：

在所述钝化层上形成对应所述像素电极的开口。