[发明专利]包括金属-硅-氮化物图案的半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

横过所述器件的场隔离区和横过所述器件的有源区的第一导电线，该第一导电线包括掺杂的第一导电图案、第二导电图案和在所述第一导电图案和所述第二导电图案之间的金属硅氮化物图案，该金属硅氮化物图案配置为在该金属硅氮化物图案与第一导电图案的下界面处提供接触以及配置为在该金属硅氮化物图案与第二导电图案的上界面处提供扩散屏障，

其中所述金属硅氮化物图案的第一部分的硅浓度大于所述金属硅氮化物图案的第二部分的硅浓度，所述第一部分邻近所述下界面并且所述第二部分邻近所述上界面。

2.如权利要求1所述的器件，其中所述第一导电线横过在所述器件的单元阵列区中的所述场隔离区以及所述有源区，该器件还包括：

横过在所述器件的外围区中的场隔离区以及有源区的第二导电线，该第二导电线在外围区中包括掺杂的第三导电图案、第四导电图案和在所述第三导电图案和所述第四导电图案之间的金属硅氮化物图案，该金属硅氮化物图案配置为在该金属硅氮化物图案与所述第三导电图案的下界面处提供接触以及在该金属硅氮化物图案与所述第四导电图案的上界面处提供扩散屏障。

3.如权利要求2所述的器件，其中所述第一导电线包括位线，所述第二导电线包括外围栅结构。

4.如权利要求1所述的器件，其中所述金属硅氮化物图案包括金属硅化物，该金属硅化物包括所述接触。

5.如权利要求4所述的器件，其中所述接触包括欧姆接触。

6.如权利要求1所述的器件，其中所述金属硅氮化物图案包括30埃至70埃的总厚度，所述第一导电图案包括200埃至400埃的总厚度。

7.如权利要求6所述的器件，其中所述第一导电线包括小于800埃的总厚度。

8.如权利要求7所述的器件，其中所述第一导电线的总厚度大于550埃。

9.如权利要求8所述的器件，其中所述第一导电图案的总厚度为350埃。

10.如权利要求9所述的器件，其中所述第二导电图案包括300埃的总厚度。

11.如权利要求1所述的器件，其中所述金属硅氮化物图案包括为所述第一导电图案的总厚度的10％至25％的总厚度。

12.如权利要求1所述的器件，其中所述金属硅氮化物图案的总厚度小于所述第二导电图案的总厚度，所述第二导电图案的总厚度小于所述第一导电图案的总厚度。

13.如权利要求1所述的器件，其中金属硅氮化物图案包括对所述金属硅氮化物图案的总厚度测量的至少10atm％的硅浓度。

14.如权利要求13所述的器件，其中所述硅浓度包括邻近所述上界面测量的10atm％至30atm％的第一浓度，并且包括邻近所述下界面测量的30atm％至50atm％的第二浓度。

15.如权利要求14所述的器件，其中在整个所述金属硅氮化物图案中，所述硅浓度从所述第一浓度改变为所述第二浓度。

16.如权利要求1所述的器件，其中所述金属硅氮化物图案包括与金属氮化物层交替的硅氮化物层。

17.如权利要求1所述的器件，其中所述金属硅氮化物图案包括TiSiN图案。

18.如权利要求17所述的器件，其中所述TiSiN图案包括与TiN层交替的SiN层。